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J-GLOBAL ID:201902252294654822   整理番号:19A0490897

C_3N_4量子ドットで修飾したZnOナノワイヤアレイの5重増強光電気化学特性【JST・京大機械翻訳】

Fivefold Enhanced Photoelectrochemical Properties of ZnO Nanowire Arrays Modified with C3N4 Quantum Dots
著者 (5件):
資料名:
巻:号:ページ: 99  発行年: 2017年 
JST資料番号: U7154A  ISSN: 2073-4344  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: スイス (CHE)  言語: 英語 (EN)
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ZnOナノワイヤアレイ複合電極上に修飾したグラファイト様窒化炭素量子ドット(CNQD)の容易で効果的な成長戦略を初めて設計し,初めて調製した。顕著な量子増強特性を,走査電子顕微鏡(SEM),透過型電子顕微鏡(TEM),X線光電子分光器(XPS),UV-vis拡散反射率,PEC性能,および光触媒水素生産によって注意深く研究し,結果は良く一致した。本論文で調製したこの新しい階層的ヘテロアレイの5倍増強光電気化学性能を,純粋なZnOナノワイヤアレイと比較し,UV光下で得た。この効果はCNQDとZnOナノワイヤアレイ間の顕著な電荷分離に起因した。さらなる研究は,CNQD/ZnO複合材料の特別な構造が光子発生キャリアの分離と増強された光電電流に寄与することを明らかにした。さらに,CNQD修飾ZnOナノワイヤアレイの吸収端はわずかに広がり,直径も減少した。模擬太陽光照射を用いた光電気化学水素発生分解水は,CNQD/ZnO複合電極上での光電気化学的水素発生の機構の可能な応用の前景を示した。Copyright 2019 The Author(s) All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (3件):
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電気化学反応  ,  光化学一般  ,  塩基,金属酸化物 
引用文献 (40件):

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