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J-GLOBAL ID：201902255300548494   整理番号：19A2114795

HBNカプセル化単分子層MoSe_2における励起子拡散【JST・京大機械翻訳】

Exciton Diffusion in hBN-encapsulated Monolayer MoSe₂

著者 (8件)： Hotta Takato (Nagoya University, Nagoya, Japan) ,  Higuchi Syohei (Nagoya University, Nagoya, Japan) ,  Uchiyama Yosuke (Nagoya University, Nagoya, Japan) ,  Ueno Keiji (Saitama University, Saitama, Japan) ,  Watanabe Kenji (NIMS, Tsukuba, Japan) ,  Taniguchi Takashi (NIMS, Tsukuba, Japan) ,  Shinohara Hisanori (Nagoya University, Nagoya, Japan) ,  Kitaura Ryo (Nagoya University, Nagoya, Japan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2019  号： CSW  ページ： 1-2  発行年： 2019年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 単分子層遷移金属ジカルコゲニド(TMD)のような二次元半導体からの光学応答は,電子と正孔間の強いCoulomb相互作用による励起子効果により支配される。したがって,励起子の拡散は,2D半導体における光学応答を理解するための最も重要な過程の一つである。本研究では,hBNフレーク(hBN/MoSe2/hBN)によりカプセル化した高品質TMD,単層MoSe_2を調製し,10~300Kの範囲の種々の温度での固有励起子拡散を調べた。著者らは,hBN/MoSe_2/hBNにおけるExciton移動度が温度の低下とともに単調に増加し,10Kでの移動度が10~4cm~2V~-1s-1以上に達することを見出した。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 移動度 ,  フレーク ,  正孔 ,  *励起子 ,  半導体 ,  単一層 ,  Coulomb相互作用 ,  二次元 ,  *単分子層
準シソーラス用語： 高品質 ,  光応答 ,  二次元半導体 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (3件)： カプセル化 ,  単分子層 ,  励起子拡散