文献

J-GLOBAL ID：201902258452567773   整理番号：19A0590583

ビーム減速法を用いた超低エネルギー(100eV)電子ビームによるAlGaN/GaN HEMT構造からのルミネセンス

Luminescence from AlGaN/GaN HEMT structures by very-low-energy (100eV) electron beams using beam deceleration technique

著者 (4件)： SUGIE Ryuichi (Toray Res. Center Inc., Shiga, JPN) ,  UCHIDA Tomoyuki (Toray Res. Center Inc., Shiga, JPN) ,  FUJII Takashi (Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN) ,  ARAKI Tsutomu (Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 58  号： 1  ページ： 010902.1-010902.4  発行年： 2019年01月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 低ビームエネルギー陰極線ルミネセンス(CL)システムを開発した。このCLシステムは,ビーム減速(「遅延」とも呼ばれる)ツールを備えた走査電子顕微鏡システムとCL検出システムから成る。このシステムを用いて,AlGaN/GaNを基本とする高電子移動度トランジスタ構造を調べ,100eVにおいてもバンド端発光を観測した。バンド端発光は数秒間のプラズマ照射後に著しく減少した。低ビームエネルギーCLは表面に非常に敏感であり,素子作製に用いられる乾式プロセスの最適化に使用できる。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： ビーム ,  減速 ,  *電子ビーム ,  *HEMT ,  *陰極線ルミネセンス ,  走査電子顕微鏡 ,  表面 ,  最適化 ,  ルミネセンス ,  *窒化ガリウム ,  *アルミニウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  窒化物
準シソーラス用語： 低エネルギー ,  *AlGaN/GaN ,  遅延 ,  高電子移動度トランジスタ ,  *バンド端発光 ,  プラズマ照射 ,  乾式プロセス ,  窒化アルミニウムガリウム

分類 (2件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (30件)：

• M. A. Reshchikov and H. Morkoç, J. Appl. Phys. 97, 061301 (2005), and references therein.
• B. M. Green, K. K. Chu, E. M. Chumbes, J. A. Smart, J. R. Shealy, and L. F. Eastman, IEEE Electron Device Lett. 21, 268 (2000).
• U. K. Mishra, P. Parikh, and Y. F. Wu, Proc. IEEE 90, 1022 (2002).
• R. S. Pengelly, S. M. Wood, J. W. Milligan, S. T. Sheppard, and W. L. Pribble, IEEE Trans. Microwave Theory Tech. 60, 1764 (2012).
• G. Meneghesso, M. Meneghini, and E. Zanoni, Jpn. J. Appl. Phys. 53, 100211 (2014).

タイトルに関連する用語 (8件)： ビーム ,  減速 ,  低エネルギー ,  電子ビーム ,  AlGaN ,  GaN ,  HEMT ,  ルミネセンス