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J-GLOBAL ID：201402208327920547   整理番号：14A1471192

AlGaN/GaN HEMTのブレイクダウン機構:概要

Breakdown mechanisms in AlGaN/GaN HEMTs: An overview

著者 (3件)： MENEGHESSO Gaudenzio (Univ. Padova, Padova, ITA) ,  MENEGHINI Matteo (Univ. Padova, Padova, ITA) ,  ZANONI Enrico (Univ. Padova, Padova, ITA)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 53  号： 10  ページ： 100211.1-100211.8  発行年： 2014年10月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本稿では,AlGaN/GaNを基本とする高電子移動度トランジスタ(HEMT)におけるブレイクダウン電流の原因となる物理的機構を概説する。実験データと以前に報告された結果を詳細に比較することによって,オフ-状態における高ドレイン電圧レベルでのドレイン電流の増大の原因となる以下の機構を記述する。即ち,(i)パンチスルー効果,そして/またはバッファー層の弱い空乏効果によるソース-ドレインのブレイクダウン;(ii)素子をシリコン基板上に成長させた場合に,特に顕著になる縦方向(ドレインとバルクの間)のブレイクダウン;(iii)表面伝導機構,あるいはゲートにおける逆バイアスの印加されたショットキー接合による伝導に因るゲート-ドレイン接合のブレイクダウン;(iv)ソースから電子を注入するための障壁の低下に因るドレイン電流の増大を誘起するホットエレクトロンによって引き起こされる衝突イオン化,などである。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： HEMT ,  *窒化ガリウム ,  アルミニウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  *窒化物 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  電流 ,  基板 ,  ケイ素 ,  *絶縁破壊 ,  半導体金属接合 ,  ホットエレクトロン ,  衝突イオン化 ,  照射損傷 ,  パンチスルー ,  Schottky接合 ,  空乏領域 ,  *窒化アルミニウムガリウム
準シソーラス用語： *窒化ガリウムアルミニウム ,  ドレイン電流

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (51件)：

• S. Hashimoto, K. Akita, T. Tanabe, N. Nakahata, K. Takeda, and H. Amano, SEI Tech. Rev. 71, 83 (2010).
• Y. Dora, A. Chakraborty, L. McCarthy, S. Keller, S. P. DenBaars, and U. K. Mishra, IEEE Electron Device Lett. 27, 713 (2006).
• M. Ishida, T. Ueda, T. Tanaka, and D. Ueda, IEEE Trans. Electron Devices 60, 3053 (2013).
• M. Rodriguez, Y. Zhang, and D. Maksimovic, IEEE Trans. Power Electron. 29, 2462 (2014).
• Y. Wu, M. Jacob-Mitos, M. L. Moore, and S. Heikman, IEEE Electron Device Lett. 29, 824 (2008).

タイトルに関連する用語 (4件)： AlGaN ,  GaN ,  HEMT ,  概要