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J-GLOBAL ID：201902258995801527   整理番号：19A1415137

超薄膜応用のための膜貫通電子ビームリソグラフィー【JST・京大機械翻訳】

Through-membrane electron-beam lithography for ultrathin membrane applications

著者 (9件)： Neklyudova M. (Kavli Institute of Nanoscience, Delft University of Technology, Delft 2628CJ, the Netherlands) ,  Erdamar A. K. (Kavli Institute of Nanoscience, Delft University of Technology, Delft 2628CJ, the Netherlands) ,  Vicarelli L. (Kavli Institute of Nanoscience, Delft University of Technology, Delft 2628CJ, the Netherlands) ,  Heerema S. J. (Kavli Institute of Nanoscience, Delft University of Technology, Delft 2628CJ, the Netherlands) ,  Rehfeldt T. (Kavli Institute of Nanoscience, Delft University of Technology, Delft 2628CJ, the Netherlands) ,  Pandraud G. (Else Kooi Laboratory, Delft University of Technology, Delft 2628CT, the Netherlands) ,  Kolahdouz Z. (Kavli Institute of Nanoscience, Delft University of Technology, Delft 2628CJ, the Netherlands) ,  Dekker C. (Kavli Institute of Nanoscience, Delft University of Technology, Delft 2628CJ, the Netherlands) ,  Zandbergen H. W. (Kavli Institute of Nanoscience, Delft University of Technology, Delft 2628CJ, the Netherlands)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 111  号： 6  ページ： 063105-063105-5  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： in situ透過型電子顕微鏡実験のために,SiN膜中の専用の位置に超薄(20nmまで)均一な電子透明窓を作製する技術を示した。電子ビーム(e-ビーム)レジストを膜の背面に噴霧被覆し,膜貫通電子ビームリソグラフィーを用いてパターン化したシリコン中のKOHエッチング空洞内に置いた。これは膜中の透明窓を作るための制御された方法であり,一方,膜の頂部は未損傷のままであり,その平坦性を保持している。著者らのアプローチは,MEMSベースの加熱チップのために最適化されたが,どんなチップ設計にも適用できる。著者らは,(1)薄い自立金属膜におけるエレクトロマイグレーションによるナノギャップ電極の作製,および(2)低雑音グラフェンナノ細孔素子の作製に対するこの技術の2つの異なる応用を示した。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： MEMS ,  最適化 ,  レジスト ,  *超薄膜 ,  *電子ビームリソグラフィー ,  グラフェン ,  噴霧 ,  エレクトロマイグレーション ,  *電子ビーム ,  エッチング ,  パターン形成 ,  被覆 ,  ケイ素
準シソーラス用語： ナノ細孔 ,  ナノギャップ電極 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (3件)： 超薄膜 ,  応用 ,  電子ビームリソグラフィー