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J-GLOBAL ID：201902259505586687   整理番号：19A1375105

反応性マグネトロンスパッタ法を用いたEuH₂エピタキシャル薄膜の作製

著者 (6件)： 小松遊矢 (東工大 物質理工) ,  清水亮太 (東工大 物質理工) ,  清水亮太 (JST-さきがけ) ,  小林成 (東工大 物質理工) ,  西尾和記 (東工大 物質理工) ,  一杉太郎 (東工大 物質理工)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 66th  ページ： ROMBUNNO.10p-W323-5  発行年： 2019年02月25日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： [序]: 希土類水素化物は、水素脱挿入[1]や光照射[2]など多様な外場操作によって可逆的な電気的・光学的特性変化を示す興味深い物質群である。その中でも、ユウロピウム二水素化物(EuH2)は強磁性半導体(キュリー温度: 18 K,バンドギャ...【本文一部表示】

シソーラス用語： マグネトロンスパッタリング ,  *反応性スパッタリング ,  *スパッタ蒸着 ,  *水素化物 ,  *ユウロピウム化合物 ,  *強磁性半導体 ,  磁性薄膜 ,  半導体薄膜 ,  ヘテロエピタクシー ,  基板 ,  セラミック ,  酸化イットリウム ,  酸化ジルコニウム ,  基板温度 ,  X線回折
準シソーラス用語： YSZ【セラミック】

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (4件)： 反応性マグネトロンスパッタ法 ,  エピタキシャル ,  薄膜 ,  作製