TEOS蒸気中の電子衝撃と電子輸送により誘起された解離反応

KAWAGUCHI Satoru; KAWAGUCHI Satoru; HIGUCHI Hisashi; LI Hu; DENPOH Kazuki; TAKAHASHI Kazuhiro; SATOH Kohki

文献

J-GLOBAL ID：201902261855584460 整理番号：19A1873330

TEOS蒸気中の電子衝撃と電子輸送により誘起された解離反応

Dissociative reactions induced by electron impact and electron transport in TEOS vapor

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著者 (7件)： , , , , , ,
資料名：
巻： 58 号： 6 ページ： 066003.1-066003.9 発行年： 2019年06月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

電子とテトラエトキシシラン[Si(OC₂H₅)₄,TEOS]分子間の解離イオン化と中性解離衝突の反応を報告し,古典的なRice-Ramsperger-Kassel理論を適用して中性解離断面積を計算した。18個の中性解離断面積と20個のイオン化断面積を含むTEOS蒸気の詳細な電子衝突断面積セットを構築した。Electron輸送係数,例えば平均到着時間ドリフト速度,バルクドリフト速度,縦方向バルク拡散係数,およびイオン化係数,およびTEOS蒸気における弾性および非弾性衝突の速度係数を,モンテカルロ法を用いて本研究による断面積セットから計算した。計算した電子輸送係数を測定データと比較することにより,本断面積セットの妥当性を実証した。さらに,電子衝撃によるTEOS分子のフラグメンテーションをシミュレートし,シミュレーションで生成したフラグメントの数を測定した質量スペクトルと比較した。(翻訳著者抄録)

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電子と分子の衝突・散乱

引用文献 (31件)：

M. A. Lieberman and A. J. Lichtenberg, Principles of Plasma Discharges and Materials Processing (Wiley, Hoboken, NJ, 2005), Chap. 16.
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M. J. Kushner, J. Phys. D: Appl. Phys. 42, 194013 (2009).
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