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J-GLOBAL ID：201902263059502268   整理番号：19A1902581

半導体表面上に堆積した孤立およびクラスタ化Si量子ドットにおけるピコ秒電子動力学の比較【JST・京大機械翻訳】

Comparison of picosecond electron dynamics in isolated and clustered Si quantum dots deposited on a semiconductor surface

著者 (5件)： Fukumoto Keiki (High Energy Accelerator Research Organization (KEK), 1-1 Oho, Tsukuba, Ibaraki 305-0801 Japan) ,  Seyhan Ayse (Nigde Omer Halisdemir University, Nanotechnology Application and Research Center, 51240 Nigde, Turkey) ,  Onda Ken (Kyushu University, 744 Motooka, Nishi-ku, Fukuoka 819-0395, Japan) ,  Oda Shunri (Tokyo Institute of Technology, 2-12-1 Ookayama, Meguro-ku, Tokyo 152-8550, Japan) ,  Koshihara Shin-ya (Tokyo Institute of Technology, 2-12-1 Ookayama, Meguro-ku, Tokyo 152-8550, Japan)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 115  号： 5  ページ： 053105-053105-5  発行年： 2019年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半導体量子ドット(QD)は様々な光電子デバイスに広く使われている。バルク結晶と比較して,QDにおける修飾エネルギーバンド構造に基づく種々の光電子機能を実現する目的で,Si QDの応用に関する広範な研究がなされている。従って,SiO_2/Si表面上に堆積したナノスケール寸法の単一Si QDにおけるキャリア動力学を直接的に調べることが必要であり,そこでは,環境はSi系半導体デバイスと互換性がある。50nmと100fsの空間分解能と時間分解能をもつ時間分解光電子顕微鏡を用いて,SiO_2/Si表面上の孤立とクラスタ化Si QDの光励起直後の超高速電子動力学の観測と比較を報告した。QDの詳細な構造を走査電子顕微鏡観察により直接確認した。本研究で得られた結果は,孤立したQDにおけるキャリア寿命がクラスタ化QDにおけるそれより短いことを示した。これはナノ空間における電子-正孔相互作用と一致し,キャリア再結合速度を著しく変化させた。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *クラスタ化 ,  正孔 ,  半導体素子 ,  *ピコ秒 ,  キャリア再結合 ,  キャリア寿命 ,  空間分解能 ,  相互作用 ,  *量子ドット ,  *ケイ素 ,  光電子 ,  光ポンピング ,  ナノ空間 ,  ナノスケール ,  *改変
準シソーラス用語： 超高速 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (7件)： 半導体表面 ,  堆積 ,  クラスタ化 ,  Si ,  量子ドット ,  ピコ秒 ,  電子動力学