文献

J-GLOBAL ID：201902263522253847   整理番号：19A2560017

シアノ置換電子吸引基を有する電子受容性ジチアルビセンのπ-拡張と空気安定性n-チャネル有機電界効果トランジスタへの応用【JST・京大機械翻訳】

π-Extension of electron-accepting dithiarubicene with a cyano-substituted electron-withdrawing group and application in air-stable n-channel organic field effect transistors

著者 (7件)： Tsukamoto Kenji (Graduate School of Engineering, Nagoya Institute of Technology, Gokiso-cho, Showa-ku, Nagoya 466-8555, Japan. [e-mail]) ,  Takagi Koji ,  Nagano Shusaku ,  Hara Mitsuo ,  Ie Yutaka ,  Osakada Kohtaro ,  Takeuchi Daisuke
資料名： Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices  (Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)
巻： 7  号： 40  ページ： 12610-12618  発行年： 2019年 
JST資料番号： W2383A  ISSN： 2050-7526  CODEN： JMCCCX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： n型有機半導体への応用のために,分子末端(BisDCNEおよびBisTCNE)およびジシアノメチレン-置換キノイド構造(TCNQE)を有する,多重シアノ置換エテニル基を有する新しいπ拡張ジチオアルブセン誘導体を合成した。それらの吸収スペクトルにおいて,それらのπ共役が量子化学計算と一致して効果的に拡張されることが観察された。強い電子吸引基の存在により,BisTCNEとTCNQEは,周囲条件下で容易な電子注入と安定な電子移動を可能にする約-4.2eVに低位LUMOエネルギー準位を示した。BisTCNEはおそらくわずかにねじれた立体配座のために最も優れた溶解度を示した。BisTCNEに基づくボトムゲート底部接触OFETデバイスは,真空下で10~5以上のオン/オフ電流比(I_on/I_off)で5.5×10~2cm~2V~1s-1までの最高の電子移動度(μ_e)を示し,電子移動度の有害な減少なしに環境条件下で操作できた(μ_e=3.3×10~-2cm2V~-1s-1)。GIXRD測定から,BisTCNEとTCNQEはHMDS処理SiO_2基板上にエッジ-オン分子配向を示すことが分かった。優れたn型OFETにしばしば適用されるキノイド構造を持つTCNQEから作製された素子と比較して,BisTCNEに基づく素子ははるかに良好な性能を示すことが注目すべき結果である。Copyright 2019 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電流 ,  末端基 ,  エネルギー準位 ,  LUMO ,  多重化 ,  有機半導体 ,  電子移動 ,  *チャネル ,  吸収スペクトル ,  立体配座
準シソーラス用語： 電子移動度 ,  ボトムゲート ,  電子注入 ,  π共役 ,  *有機FET , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  高分子固体の物理的性質  (CG02024U)

タイトルに関連する用語 (10件)： シア ,  置換 ,  電子吸引基 ,  電子 ,  受容性 ,  π-拡張 ,  安定性 ,  チャネル ,  有機電界効果トランジスタ ,  応用