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J-GLOBAL ID：201902263777078734   整理番号：19A1183130

3Dハイブリッドナノ構造のための紫外線ナノインプリントリソグラフィー適合性ポジ型電子ビームレジスト【JST・京大機械翻訳】

Ultra-violet nanoimprint lithography-compatible positive-tone electron beam resist for 3D hybrid nanostructures

著者 (3件)： Okabe Takao (Department of Applied Electronics, Tokyo University of Science, 6-3-1 Niijuku, Katsushika, Tokyo 125-8585, Japan) ,  Maebashi Hiroo (Department of Applied Electronics, Tokyo University of Science, 6-3-1 Niijuku, Katsushika, Tokyo 125-8585, Japan) ,  Taniguchi Jun (Department of Applied Electronics, Tokyo University of Science, 6-3-1 Niijuku, Katsushika, Tokyo 125-8585, Japan)
資料名： Microelectronic Engineering  (Microelectronic Engineering)
巻： 213  ページ： 6-12  発行年： 2019年 
JST資料番号： C0406B  ISSN： 0167-9317  CODEN： MIENEF  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 異なるスケールの複雑なパターンを持つ3Dハイブリッド構造を作製するための製作技術を研究した。作製法を提案し,紫外ナノ跡トリソグラフィー(UV-NIL)互換性正トーン電子ビーム(EB)レジストを作製した。レジストは,UV-NILと正トーンEBリソグラフィー(EBL)により,同じ表面上に微細構造とナノ構造を有することを示すことができた。レジストはUV-NILプロセスの後に正のトーンEBレジストとして振舞うことができ,高いUV-NILとEBL分解能を示し,高いアスペクト比をもつ3Dハイブリッドナノパターンを作製するのに十分な感度を示した。次に,ナノ反射防止構造を持つマイクロレンズアレイの製作を行った。レジストは直径3.8μmのマイクロスケール凹面レンズアレイを正確に複製できる。次に,ナノ反射防止構造をレンズアレイ上のEBLにより直接製作した。直径220nmの反射防止構造としての正のトーンドットパターンを1000μC/cm2のEB線量で作製した。UV-NILを用いて作製した試料を複製した。レジスト製品はUV-NIL用のマスターモールドとして成功裏に使用できる。200nmの反射防止構造をもつ凸マイクロレンズアレイを得た。レジストを用いたこれらの方法は複雑な3Dハイブリッドナノ構造を提供できる。この方法とレジストの有用性を論じた。Copyright 2019 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *電子ビーム ,  *三次元 ,  分解能 ,  *リソグラフィー ,  アスペクト比 ,  微細構造 ,  凸形 ,  *レジスト ,  *ナノ構造 ,  *紫外線 ,  *適応性
準シソーラス用語： レンズアレイ ,  マイクロレンズアレイ ,  反射防止構造 ,  *ナノインプリントリソグラフィー , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： UVナノインプリントリソグラフィー ,  Electronビームリソグラフィ ,  ポジ型レジスト ,  ハイブリッド構造

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (6件)： 3D ,  ナノ構造 ,  紫外線 ,  ナノインプリントリソグラフィー ,  適合性 ,  電子ビームレジスト