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J-GLOBAL ID：201902263885412319   整理番号：19A2613368

ブラックシリコン-微細構造とRaman散乱との相関【JST・京大機械翻訳】

Black silicon - correlation between microstructure and Raman scattering

著者 (5件)： Jurecka Stanislav (Institute of Aurel Stodola, University of Zilina, Liptovsky Mikulas, Slovakia) ,  Pincik Emil (Institute of Physics SAS, Dubravska cesta 9, 842 28 Bratislava, Slovakia) ,  Imamura Kentaro (The Institute of Scientific and Industrial Research, Osaka University, CREST, Japan Science and Technology Agency, Ibaraki, Osaka 567-0047, Japan) ,  Matsumoto Taketoshi (The Institute of Scientific and Industrial Research, Osaka University, CREST, Japan Science and Technology Agency, Ibaraki, Osaka 567-0047, Japan) ,  Kobayashi Hikaru (The Institute of Scientific and Industrial Research, Osaka University, CREST, Japan Science and Technology Agency, Ibaraki, Osaka 567-0047, Japan)
資料名： Journal of Electrical Engineering (Web)  (Journal of Electrical Engineering (Web))
巻： 70  号： 7  ページ： 58-64  発行年： 2019年 
JST資料番号： U8048A  ISSN： 1339-309X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 表面構造化学移動法と陽極エッチング法により,シリコン基板上に黒色シリコン層を形成した。形成された層の微細構造の特性を,電子顕微鏡法(TEM)により実験的に研究し,統計的,Fourierおよびマルチフラクタル法により特性化した。定義されたフラクタル特性と表面粗さを有する理論的構造を生成し,それらの微細構造特性を評価した。得られた結果を,成形手順中の実際の構造発達の説明に用いた。この方法を用いて,粗さとフラクタル性の光学的性質との相関を調べた。黒色シリコン層もRaman散乱法を用いて調べた。1~1次の黒色Si Raman散乱プロファイルを記述する最適化理論モデルを構築し,エッチング手順中に導入した二軸引張応力の評価に用いた。Copyright 2019 Stanislav Jurecka et al., published by Sciendo Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： アノード ,  *Raman散乱 ,  フラクタル ,  表面構造 ,  電子顕微鏡観察 ,  *微細構造 ,  表面粗さ ,  二軸 ,  *散乱 ,  エッチング ,  引張応力 ,  キャラクタリゼーション ,  マルチフラクタル ,  *ブラックシリコン ,  シリコンウエハ ,  構造

著者キーワード (5件)： ブラックシリコン ,  TEM ,  粗さ ,  フラクタル特性 ,  Raman散乱

分類 (4件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  赤外スペクトル及びRaman散乱,Ramanスペクトル一般  (BM08061U) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (4件)： ブラックシリコン ,  微細構造 ,  Raman散乱 ,  相関