文献

J-GLOBAL ID：201902264439794349   整理番号：19A1402683

スパッタ法による高配向Bi-Te薄膜の成膜と電子状態解析

著者 (8件)： 齊藤雄太 (産業技術総合研) ,  FONS Paul (産業技術総合研) ,  牧野孝太郎 (産業技術総合研) ,  MITROFANOV Kirill V. (産業技術総合研) ,  上杉文彦 (物質・材料研究機構) ,  竹口雅樹 (物質・材料研究機構) ,  KOLOBOV Alexander V. (産業技術総合研) ,  富永淳二 (産業技術総合研)
資料名： 日本金属学会講演概要(CD-ROM)  (Collected Abstracts of Spring Meeting of the Japan Institute Metals and Materials (CD-ROM))
巻： 164th  ページ： ROMBUNNO.369  発行年： 2019年03月06日 
JST資料番号： S0988B  ISSN： 2433-3093  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 【緒言】Bi-Te合金は、熱電材料として古くから最も研究されている材料の一つで、また最近では、Bi2Te3の化学量論化合物は代表的なトポロジカル絶縁体として活発な研究がなされている。一方で、著者らのグループでは、アモルファス相と結晶相の電気...【本文一部表示】

シソーラス用語： *ビスマス合金 ,  テルル含有合金 ,  *金属薄膜 ,  結晶方位 ,  電子状態 ,  *スパッタリング

分類 (1件)： 金属薄膜  (BK14030T)

タイトルに関連する用語 (8件)： スパッタ法 ,  配向 ,  BI ,  Te ,  薄膜 ,  成膜 ,  電子状態 ,  解析