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J-GLOBAL ID：201902264964407960   整理番号：19A1893673

超低エネルギー非晶質化を可能にする逆抵抗変化Cr_2Ge_2Te_6ベースPCRAM【JST・京大機械翻訳】

Inverse Resistance Change Cr₂Ge₂Te₆-Based PCRAM Enabling Ultralow-Energy Amorphization

著者 (7件)： Hatayama Shogo (Department of Materials Science, Graduate School of Engineering, Tohoku University, Japan) ,  Sutou Yuji (Department of Materials Science, Graduate School of Engineering, Tohoku University, Japan) ,  Shindo Satoshi (Department of Materials Science, Graduate School of Engineering, Tohoku University, Japan) ,  Saito Yuta (Nanoelectronics Research Institute, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Japan) ,  Song Yun-Heub (Department of Electronic Engineering, Hanyang University, Korea) ,  Ando Daisuke (Department of Materials Science, Graduate School of Engineering, Tohoku University, Japan) ,  Koike Junichi (Department of Materials Science, Graduate School of Engineering, Tohoku University, Japan)
資料名： ACS Applied Materials & Interfaces  (ACS Applied Materials & Interfaces)
巻： 10  号： 3  ページ： 2725-2734  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2329A  ISSN： 1944-8244  CODEN： AAMICK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 相変化ランダムアクセスメモリ(PCRAM)は,フラッシュメモリを置き換えることができる次世代の不揮発性メモリのために多くの注意を引きつけて,記憶クラスメモリのために使用することができた。一般に,PCRAMは高抵抗非晶質(リセット)と低抵抗結晶(セット)状態の間の相変化材料の電気抵抗の変化に依存する。ここでは,高抵抗結晶リセット状態と低抵抗非晶質セット状態を示すCr_2Ge_2Te_6(CRGT)による逆抵抗変化PCRAMを提示した。逆抵抗変化は結晶化によるキャリア密度の劇的な減少に起因することが分かった。これはCRGTと電極間の接触抵抗率の大きな増加を引き起こす。CRGTメモリセルは,Ge_2Sb_2Te_5メモリセルよりも,非晶質化のためのはるかに低い動作エネルギーで,高速可逆抵抗スイッチングを示すことを実証した。CRGTにおけるこの低い動作エネルギーは,高抵抗結晶マトリックスと支配的な接触抵抗により実現できる小さなプログラム化非晶質体積によるものである。同時に,CRGTは結晶化温度と操作速度の間のトレードオフ関係を破ることができる。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 結晶 ,  高速度 ,  晶出温度 ,  記憶素子 ,  不揮発性メモリ ,  キャリア密度 ,  *アモルファス化 ,  結晶化 ,  *非晶質 ,  接触抵抗 ,  フラッシュメモリ ,  RAM【メモリ】 ,  抵抗スイッチング ,  相変化材料
準シソーラス用語： *抵抗変化 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 相変化ランダムアクセスメモリ ,  Cr-Ge-Te ,  アモルファス ,  結晶化 ,  接触抵抗

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  電子・磁気・光学記録  (NC06020F)

タイトルに関連する用語 (4件)： 低エネルギー ,  非晶質化 ,  抵抗変化 ,  PCRAM