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J-GLOBAL ID：201902265988314185   整理番号：19A2111609

タンタル熱線触媒により生成した水素ラジカルを用いたフォトレジスト除去【JST・京大機械翻訳】

Photoresist removal using hydrogen radicals produced by tantalum hot-wire catalyst

著者 (5件)： Yamamoto Masashi (Department of Electrical and Computer Engineering, National Institute of Technology, Kagawa College, 355 Chokushi-cho, Takamatsu, Kagawa 761-8058, Japan) ,  Shiroi Tomohiro (Department of Electrical and Computer Engineering, National Institute of Technology, Kagawa College, 355 Chokushi-cho, Takamatsu, Kagawa 761-8058, Japan) ,  Shikama Tomokazu (Department of Electrical and Computer Engineering, National Institute of Technology, Kagawa College, 355 Chokushi-cho, Takamatsu, Kagawa 761-8058, Japan) ,  Nagaoka Shiro (Department of Electronic Systems Engineering, National Institute of Technology, Kagawa College, 551 Kohda, Takuma-cho, Mitoyo, Kagawa 769-1192, Japan) ,  Horibe Hideo (Graduate School of Engineering, Osaka City University, 3-3-138, Sugimoto, Sumiyoshi, Osaka 558-8585, Japan)
資料名： AIP Conference Proceedings  (AIP Conference Proceedings)
巻： 2151  号： 1  ページ： 020010-020010-6  発行年： 2019年 
JST資料番号： D0071C  ISSN： 0094-243X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 熱線触媒上で水素を分解することにより生成した水素ラジカルを用いたフォトレジスト除去法は,環境に優しい方法の一つである。タンタル触媒に対するフォトレジスト除去率とその表面温度と表面元素分析の関係を調べた。本研究では,触媒の除去への適応性を考慮した。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 表面温度 ,  元素分析 ,  適応性 ,  *水素 ,  *触媒 ,  *フォトレジスト ,  *タンタル ,  タンタル触媒 ,  *水素ラジカル ,  *熱線
準シソーラス用語： 除去率 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： その他の汚染原因物質  (SB05040W) ,  火花点火機関  (PB02020C)

タイトルに関連する用語 (5件)： タンタル ,  熱線 ,  触媒 ,  水素ラジカル ,  フォトレジスト