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J-GLOBAL ID：201902266363006798   整理番号：19A1873429

テラヘルツ時間領域分光偏光解析法を用いたInNエピ層の電気的性質のキャラクタリゼーション

Characterization of the electrical properties of an InN epilayer using terahertz time-domain spectroscopic ellipsometry

著者 (6件)： MORINO Kenta (Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN) ,  ARAKAWA Shingo (Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN) ,  FUJII Takashi (Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN) ,  MOURI Shinichiro (Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN) ,  ARAKI Tsutomu (Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN) ,  NANISHI Yasushi (Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 58  号： SC  ページ： SCCB22.1-SCCB22.4  発行年： 2019年06月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *タイムドメイン分光法 ,  *窒化インジウム ,  化合物半導体 ,  層 ,  膜厚 ,  *キャリア密度 ,  *キャリア移動度 ,  MBE成長 ,  周波数依存性 ,  電子状態 ,  *偏光解析法
準シソーラス用語： *テラヘルツ時間領域分光法 ,  エピタキシャル層 ,  RF-MBE ,  表面電子状態 ,  分光エリプソメトリ

分類 (1件)： 半導体の赤外スペクトル及びRaman散乱・Ramanスペクトル  (BM08066B)

引用文献 (31件)：

• J. Wu, W. Walukiewicz, K. M. Yu, J. W. Ager III, E. E. Haller, H. Lu, W. J. Schaff, Y. Saito, and Y. Nanishi, Appl. Phys. Lett. 80, 3967 (2002).
• V. Y. Davydov et al., Phys. Status Solidi B 229, R1 (2002).
• Y. Saito, H. Harima, E. Kurimoto, T. Yamaguchi, N. Teraguchi, A. Suzuki, T. Araki, and Y. Nanishi, Phys. Status Solidi B 234, 796 (2002).
• T. Matsuoka, H. Okamoto, M. Nakao, H. Harima, and E. Kurimoto, Appl. Phys. Lett. 81, 1246 (2002).
• K. Xu and A. Yoshikawa, Appl. Phys. Lett. 83, 251 (2003).

タイトルに関連する用語 (7件)： テラヘルツ ,  時間領域 ,  分光偏光解析法 ,  InN ,  エピ層 ,  電気的性質 ,  キャラクタリゼーション