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J-GLOBAL ID：201902267075085346   整理番号：19A2815962

レアメタルフリーGa-Sn-O材料の薄膜トランジスタへの応用

著者 (7件)： 松田時宜 (龍谷大 革新的材料・プロセス研究セ) ,  梅田鉄馬 (龍谷大 理工) ,  加藤雄太 (龍谷大 理工) ,  西本大貴 (龍谷大 理工) ,  杉崎澄生 (龍谷大 理工) ,  古田守 (高知工科大 環境理工学群) ,  木村睦 (龍谷大 理工)
資料名： 電子情報通信学会論文誌 C(Web)
巻： J102-C  号： 11  ページ： 305-311 (WEB ONLY)  発行年： 2019年11月01日 
JST資料番号： U0472A  ISSN： 1881-0217  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： レアメタルフリー酸化物半導体である,Ga-Sn-O(GTO)を薄膜トランジスタ(TFT)に応用する.GTO TFTは他の酸化物半導体TFTと比較してバックチャンネル側の保護膜がなくても各種バイアスストレス条件に対する安定性に優れており,電界効果移動度も25.6cm²/Vsと非常に良好なものが得られた.(著者抄録)

シソーラス用語： *レアメタル ,  *化合物半導体 ,  *薄膜トランジスタ ,  マグネトロンスパッタリング ,  保護膜 ,  安定性 ,  キャリア移動度 ,  不安定性 ,  RFスパッタリング ,  ガリウム化合物 ,  スズ化合物
準シソーラス用語： *酸化物半導体 ,  電界効果移動度 ,  負バイアス温度不安定性

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

引用文献 (39件)：

• Y. Ohya, T. Niwa, T. Ban, and Y. Takahashi, “Thin film transistor of ZnO fabricated by chemical solution deposition,” Jpn. J. Appl. Phys., vol.40, no.1R, pp.297-298, 2001.
• K. Nomura, H. Ohta, A. Takagi, T. Kamiya, M. Hirano, and H. Hosono, “Room-temperature fabrication of transparent flexible thin-film transistors using amorphous oxide semiconductors,” Nature, vol.432, no.7016, pp.488-492, 2004.
• H. Yabuta, M. Sano, K. Abe, T. Aiba, T. Den, H. Kumomi, K. Nomura, T. Kamiya, and H. Hosono, “High-mobility thin-film transistor with amorphous InGaZnO₄ channel fabricated by room temperature rf-magnetron sputtering,” Appl. Phys. Lett., vol.89, no.11, 112123, 2006.
• S. Masuda, K. Kitamura, Y. Okumura, S. Miyatake, H. Tabata, and T. Kawai, “Transparent thin film transistors using ZnO as an active channel layer and their electrical properties,” J. Appl. Phys., vol.93, no.3, pp.1624-1630, 2003.
• R.L. Hoffman, B.J. Norris, and J.F. Wager, “ZnObased transparent thin-film transistors,” Appl. Phys. Lett., vol.82, no.5, pp.733-735, 2003.

タイトルに関連する用語 (5件)： レアメタル ,  Ga ,  Sn ,  薄膜トランジスタ ,  応用