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J-GLOBAL ID：201902267805654759   整理番号：19A2874653

酸化還元活性分子ベース膜の異方性の制御は不揮発性抵抗スイッチングメモリに導く【JST・京大機械翻訳】

Control of anisotropy of a redox-active molecule-based film leads to non-volatile resistive switching memory

著者 (6件)： Kim Jaejun (Department of Chemistry, School of Science, Tokyo Institute of Technology, 2-12-1 Ookayama, Meguro-ku, Tokyo 152-8550, Japan. [e-mail]) ,  Ohtsu Hiroyoshi ,  Den Taizen ,  Deekamwong Krittanun ,  Muneta Iriya ,  Kawano Masaki
資料名： Chemical Science (Web)  (Chemical Science (Web))
巻： 10  号： 47  ページ： 10888-10893  発行年： 2019年 
JST資料番号： U7042A  ISSN： 2041-6539  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 酸化還元活性π分子ベース膜におけるπ-π相互作用方向の制御は,新しい機械的不揮発性抵抗スイッチングメモリの形成をもたらした。レドックス活性有機分子,2,5,8-トリ(4-ピリジル)1,3-ジアザフェナレンは,分子配向が異方性であるときのみ,高いオン-オフ比,保持および耐久性を有する不揮発性双安定抵抗状態を示した。等方性/異方性分子配向を有する酸化還元活性/酸化還元不活性有機分子を用いた制御実験は,非伝導性中性π-π積層層からの導電性酸化π-π積層層の形成が抵抗スイッチング現象の原因であることを意味し,ReRAMのような新しい機構を示した。著者らの知見は,有機分子に基づく新しいクラスのReRAMの作製をもたらす,レドックス活性と分子配列の影響に基づく有機固体材料における電子輸送の包括的理解を与えるであろう。Copyright 2019 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 有機化合物 ,  等方性 ,  耐久性 ,  導電性 ,  非揮発性 ,  *酸化還元反応 ,  *酸化 ,  双安定性 ,  異方性
準シソーラス用語： 電子輸送 ,  分子配列 ,  ReRAM ,  *抵抗スイッチング ,  *抵抗スイッチングメモリ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (4件)： コバルトとニッケルの錯体  (CE01092Y) ,  その他の光伝送素子  (BD06040S) ,  有機化合物の電気伝導  (BM03045F) ,  ピラジン  (CF07104N)

タイトルに関連する用語 (4件)： 酸化還元 ,  異方性 ,  不揮発性 ,  抵抗スイッチングメモリ