文献

J-GLOBAL ID：201902268166379776   整理番号：19A1625563

補償p型Czochralskiシリコンウエハの表面不動態化のためのSiN_x/SiO_2二重層の挙動【JST・京大機械翻訳】

Behavior of SiN _x /SiO₂ Double Layer for Surface Passivation of Compensated p-Type Czochralski Silicon Wafers

著者 (7件)： Maoudj M. (Research Center in Semiconductor Technology for Energetic (CRTSE), Algiers, Algeria) ,  Maoudj M. (Department of Electronics, Faculty of Technology, University Ferhat Abbas, Setif, Algeria) ,  Bouhafs D. (Research Center in Semiconductor Technology for Energetic (CRTSE), Algiers, Algeria) ,  Bourouba N. (Department of Electronics, Faculty of Technology, University Ferhat Abbas, Setif, Algeria) ,  El Amrani A. (Research Center in Semiconductor Technology for Energetic (CRTSE), Algiers, Algeria) ,  Tahi H. (Advanced Technology Development Center CDTA, Baba-Hassen, Algiers, Algeria) ,  Hamida-Ferhat A. (Department of Electronics, Faculty of Technology, University Ferhat Abbas, Setif, Algeria)
資料名： Journal of Electronic Materials  (Journal of Electronic Materials)
巻： 48  号： 6  ページ： 4025-4032  発行年： 2019年 
JST資料番号： D0277B  ISSN： 0361-5235  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 水素化窒化ケイ素/酸化ケイ素(SiN_x-H/SiO_2)二重層(SiN_x/SiO_2と呼ばれる)を用いたCzochralski(Cz)p型補償シリコンの表面不動態化を研究した。蒸着膜の特性は,表面調製,堆積過程,およびアニーリングパラメータに強く依存した。Fourier変換赤外(FTIR)分光法を用いて,Si-SiN_x/SiO_2構造における化学結合を分析し,準定常状態光伝導率(QSSPC)測定を用いて,不動態化の品質をチェックするために,少数キャリア寿命(τ_eff)を評価した。結果は,SiN_x/SiO_2二重層堆積の後,τ_effがかなり劣っている(13.29μs)ことを示した。この低い不動態化度は主に酸化後の反転層の出現に起因し,表面での半導体型のスイッチングを誘起する。この反転層は,ホウ素とリン不純物の両方の偏析特性に起因する。この現象は,二次イオン質量分析(SIMS)特性化により強調され,Si-SiO_2界面付近のかなりのリン濃度と酸化物内部のホウ素の浸透を明らかにし,濃度はそれぞれ1×10~18cm~3と4×10~18cm~3であった。3.34×10~3kPaの低圧下での400°Cでのアニーリングは,少数キャリア寿命をτ_eff=15.94μsに改善し,界面状態密度の減少と異なる結合環境の統計的分布の改善に関連した表面不動態化を促進した。Copyright 2019 The Minerals, Metals & Materials Society Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 半導体 ,  リン ,  ホウ素 ,  *不動態化 ,  *ケイ素 ,  キャラクタリゼーション ,  水素化 ,  窒化ケイ素 ,  不純物 ,  焼なまし ,  酸化 ,  界面 ,  赤外線
準シソーラス用語： *二重層 ,  *シリコンウエハ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 反転層 ,  SiNx/SiO2 ,  補償シリコン ,  表面不動態化

分類 (4件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  固体デバイス材料  (NC03020K) ,  トランジスタ  (NC03070N) ,  光導電素子  (NC03083X)

タイトルに関連する用語 (5件)： 補償 ,  シリコンウエハ ,  表面不動態化 ,  重層 ,  挙動