文献
J-GLOBAL ID:201902268760615466   整理番号:19A2176445

X線天文学用に開発したSOI画素センサの性能【JST・京大機械翻訳】

Performance of SOI Pixel Sensors Developed for X-ray Astronomy
著者 (27件):
資料名:
巻: 2018  号: NSS/MIC  ページ: 1-5  発行年: 2018年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
シリコン-オン-インシュレータ技術に基づくX線用のモノリシック能動画素センサを開発した。著者らのデバイスは,読取CMOSエレクトロニクス用の低抵抗Si層,高抵抗Siセンサ層,およびそれらの間のSiO_2層から構成されている。この構成により,モノリシック素子における高速読み出し回路と厚い(100mのオーダの)空乏層の両方を可能にした。各画素回路はトリガ出力関数を含み,それにより≦10sの時間分解能を達成できる。重要な開発項目の一つはエネルギー分解能の改善である。著者らは最近,XRPIX6Eと呼ばれるデバイスを作製し,それに対してピン止めされた空乏化ダイオード(PDD)構造を導入した。この構造はセンサ層のセンシング領域と画素回路の間の静電容量結合を低減し,スペクトル性能を劣化させる。XRPIX6Eを用いて,6.4keVのX線に対して半値全幅で約150eVのエネルギー分解能を達成した。良好なエネルギー分解能に加えて,実用化には大きな画像領域が必要である。著者らは,21.9mmの13.8mmのイメージング面積サイズを有するXRPIX5bを開発し試験し,これまでに作製した最大のデバイスである。高い均一性を有するほとんど全ての608384ピクセルからX線データを得ることに成功した。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

準シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (1件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
半導体集積回路 
タイトルに関連する用語 (4件):
タイトルに関連する用語
J-GLOBALで独自に切り出した文献タイトルの用語をもとにしたキーワードです

前のページに戻る