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J-GLOBAL ID：201902268780332091   整理番号：19A0491127

単結晶ゲルマニウムにおける単一および周期的ナノインデンテーション中の相変態の比較研究【JST・京大機械翻訳】

Comparative Study of Phase Transformation in Single-Crystal Germanium during Single and Cyclic Nanoindentation

著者 (3件)： Kosai Koji (Department of Mechanical Engineering, Faculty of Science and Technology, Keio University, Yokohama 2238522, Japan) ,  Huang Hu (Department of Mechanical Engineering, Faculty of Science and Technology, Keio University, Yokohama 2238522, Japan) ,  Yan Jiwang (Department of Mechanical Engineering, Faculty of Science and Technology, Keio University, Yokohama 2238522, Japan)
資料名： Crystals (Web)  (Crystals (Web))
巻： 7  号： 11  ページ： 333  発行年： 2017年 
JST資料番号： U7169A  ISSN： 2073-4352  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 単結晶ゲルマニウムは,高圧下で複雑な相変態を示す半導体材料である。本研究では,ダイヤモンド-立方晶ゲルマニウム(dc-Ge)の相変態への新しい洞察を,Raman分光分析と組み合わせた制御された繰返しナノインデンテーションによって試みた。dc-Geから菱面体晶相への相変態(r8-Ge)を,高い負荷/除荷速度の下での単一および繰返しナノインデンテーションの両方について実験的に確認した。しかし,単一押込と比較して,サイクル間の低い保持荷重による二重繰返し押込は,より頻繁な相変態事象を引き起こした。二重繰返し押込は,単一押込よりもGeにおいてより多くの応力を引き起こし,相変態の可能性を増加させた。保持荷重の増加により,相変態事象の数は減少し,最終的には,単一押込下のそれよりも少なくなった。この現象は,保持プロセス中の欠陥核形成とせん断蓄積によって引き起こされ,それは高い保持荷重によって促進された。欠陥核形成はdc-Geからr8-Geへの相変態を抑制し,せん断蓄積はそれぞれ別の相変態経路をもたらした。高い保持負荷はこれらの2つの現象を促進し,したがって,dc-Geからr8-Geへの相変態の可能性を減少させた。Copyright 2019 The Author(s) All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 除荷 ,  ダイヤモンド ,  核形成 ,  三方晶系 ,  半導体材料 ,  Raman分光分析 ,  高圧 ,  *ナノインデンテーション ,  *ゲルマニウム ,  剪断 ,  *単結晶 ,  立方晶系

著者キーワード (6件)： 単結晶 ,  ゲルマニウム ,  ナノインデンテーション ,  相変態 ,  結晶欠陥 ,  周期的負荷

分類 (2件)： 固相転移  (BL04020G) ,  固体の機械的性質一般  (BL01021C)

引用文献 (30件)：

• Jamieson, J.C. Crystal Structures at High Pressures of Metallic Modifications of Silicon and Germanium. Science 1963, 139, 762-764.
• Minomura, S.; Drickamer, H.G. Pressure Induced Phase Transitions in Silicon, Germanium and Some III-V Compounds. J. Phys. Chem. Solids 1962, 23, 451-456.
• Gerk, A.P.; Tabor, D. Indentation Hardness and Semiconductor-Metal Transition of Germanium and Silicon. Nature 1978, 271, 732-733.
• Pharr, G.M.; Oliver, W.C.; Cook, P.F.; Kirchner, P.D.; Kroll, M.C.; Dinger, T.R.; Clarke, D.R. Electrical Resistance of Metallic Contacts on Silicon and Germanium during Indentation. J. Mater. Res. 1992, 7, 961-972.
• Nelmes, R.J.; McMahon, M.I.; Wright, N.G.; Allan, D.R.; Loveday, J.S. Stability and Crystal Structure of BC8 Germanium. Phys. Rev. B 1993, 48, 9883-9886.

タイトルに関連する用語 (5件)： 単結晶 ,  ゲルマニウム ,  ナノインデンテーション ,  相変態 ,  研究