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J-GLOBAL ID：201902269907219856   整理番号：19A2399272

ペロブスカイト発光ダイオードの性能向上戦略【JST・京大機械翻訳】

Performance boosting strategy for perovskite light-emitting diodes

著者 (7件)： Sim Kihyung (Materials Research Center for Element Strategy, Tokyo Institute of Technology, Mailbox SE-1, 4259 Nagatsuta, Midori-ku, Yokohama 226-8503, Japan) ,  Jun Taehwan (Materials Research Center for Element Strategy, Tokyo Institute of Technology, Mailbox SE-1, 4259 Nagatsuta, Midori-ku, Yokohama 226-8503, Japan) ,  Bang Joonho (Materials Research Center for Element Strategy, Tokyo Institute of Technology, Mailbox SE-1, 4259 Nagatsuta, Midori-ku, Yokohama 226-8503, Japan) ,  Kamioka Hayato (Department of Physics, College of Humanities and Sciences, Nihon University, 3-25-40 Sakurajyousui, Setagaya-ku, Tokyo 156-8550, Japan) ,  Kim Junghwan (Materials Research Center for Element Strategy, Tokyo Institute of Technology, Mailbox SE-1, 4259 Nagatsuta, Midori-ku, Yokohama 226-8503, Japan) ,  Hiramatsu Hidenori (Materials Research Center for Element Strategy, Tokyo Institute of Technology, Mailbox SE-1, 4259 Nagatsuta, Midori-ku, Yokohama 226-8503, Japan) ,  Hosono Hideo (Materials Research Center for Element Strategy, Tokyo Institute of Technology, Mailbox SE-1, 4259 Nagatsuta, Midori-ku, Yokohama 226-8503, Japan)
資料名： Applied Physics Reviews  (Applied Physics Reviews)
巻： 6  号： 3  ページ： 031402-031402-10  発行年： 2019年 
JST資料番号： W3502A  ISSN： 1931-9401  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 低次元(低D)ルミネセンス材料は,高い光ルミネセンス量子収率のために顕著な注目を引き付けている。しかし,低D材料が高局在化電子構造により電荷輸送特性が悪いことを示すエレクトロルミネセンス(EL)素子に対して,低D材料が3D材料より優れているかどうかは不明である。CsPbX_3のような3D材料に対するEL性能は隣接電荷輸送層により支配され,これはおそらく小さな励起子結合エネルギーから生じる無放射再結合によると考えられる。この発見は,励起子を閉じ込めるだけでなく,3D CsPbX_3層への効率的な電子注入を満たす新しい電子輸送層(ETL)を開発することを奨励した。この戦略は,3D CsPbX_3の良好な電荷輸送特性を利用することを可能にする。提案した非晶質Zn-Si-O ETLは,励起子を閉じ込めるために十分浅い電子親和性(~3.2eV)を有し,電子移動度(約0.8cm~2/Vs)を十分に高い電子移動度(~0.8cm~2/Vs)を持つ。さらに,非晶質Zn-Si-Oの制御可能な伝導率と電子親和性が電荷バランスの微調整を可能にした。結果として,10000cd/m2での2.9Vの非常に低い動作電圧と33lm/Wの高い電力効率が,緑色ペロブスカイト(CsPbBr_3)EL(ペル)に対して達成された。得られた約500000cd/m2の超高輝度は,提案した戦略の有効性を実証した。また,この戦略を3D CsPbBrI_2(赤色)と3D CsPbBrCl_2(青色)PeLEDに拡張し,赤外に対して20000cd/m2の記録的高輝度を実証した。本研究は,実用的なPeLEDの実現への新しい洞察を提供すると信じる。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電子構造 ,  電力効率 ,  *発光ダイオード ,  非晶質 ,  電荷 ,  光ルミネセンス ,  エレクトロルミネセンス ,  三次元 ,  励起子 ,  赤外線 ,  電子移動度 ,  電子注入 ,  電荷輸送
準シソーラス用語： 微調整 ,  局在化 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (5件)： 磁電デバイス  (NC03100X) ,  その他の無機化合物の磁性  (BM06060P) ,  記憶装置  (JC04060F) ,  光導波路,光ファイバ,繊維光学  (BD06030H) ,  半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P)

タイトルに関連する用語 (4件)： ペロブスカイト ,  発光ダイオード ,  性能向上 ,  戦略