文献

J-GLOBAL ID：201902270563688552   整理番号：19A1873404

ECR-MBEによるグラファイト基板上の窒化ガリウム膜の金属被覆van der Waalsエピタクシー

Metal-covered van der Waals epitaxy of gallium nitride films on graphitic substrates by ECR-MBE

著者 (6件)： OOE Ukyo (Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN) ,  MOURI Shinichiro (Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN) ,  ARAKAWA Shingo (Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN) ,  ABAS Faizulsalihin Bin (Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN) ,  NANISHI Yasushi (Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN) ,  ARAKI Tsutomu (Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 58  号： SC  ページ： SC1053.1-SC1053.5  発行年： 2019年06月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： ECRプラズマ ,  MBE成長 ,  *エピタクシー ,  *窒化ガリウム ,  グラファイト ,  走査電子顕微鏡 ,  表面構造 ,  Ramanスペクトル ,  化合物半導体 ,  *半導体薄膜 ,  プラズマMBE ,  プラズマ ,  構造
準シソーラス用語： *van der Waalsエピタクシー ,  GaN ,  SEM【顕微鏡】

分類 (1件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X)

引用文献 (35件)：

• A. Koma, K. Sunouchi, and T. Miyajima, Microelectron. Eng. 2, 129 (1984).
• A. Koma, J. Cryst. Growth 201, 236 (1999).
• K. Chung, C.-H. Lee, and G.-C. Yi, Science 330, 6004 (2010).
• Y. Kobayashi, K. Kumakura, T. Akasaka, and T. Makimoto, Nature 484, 223 (2012).
• J. Kim, C. Bayram, H. Park, C.-W. Cheng, C. Dimitrakopoulos, J. A. Ot, K. B. Reuter, S. W. Bedell, and D. K. Sadana, Nat. Commun. 5, 4836 (2014).

タイトルに関連する用語 (6件)： MBE ,  グラファイト ,  窒化ガリウム ,  金属被覆 ,  VAN ,  エピタクシー