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J-GLOBAL ID：201902270974678802   整理番号：19A0900730

EUVレジスト感度の向上に関する研究(2)【JST・京大機械翻訳】

A study on enhancing EUV resist sensitivity (2)

著者 (7件)： Sekiguchi Atsushi (Litho Tech Japan Corp. (Japan)) ,  Matsumoto Yoko (Litho Tech Japan Corp. (Japan)) ,  Isono Mariko (Litho Tech Japan Corp. (Japan)) ,  Naito Michiya (Toyo Gosei Kogyo Co., Ltd. (Japan)) ,  Utsumi Yoshiyuki (Toyo Gosei Kogyo Co., Ltd. (Japan)) ,  Harada Tetsuo (Univ. of Hyogo (Japan)) ,  Watanabe Takeo (Univ. of Hyogo (Japan))
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 10583  ページ： 1058320-11  発行年： 2018年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： EUVレジスト感度を改善するために,レジスト高分子への高いEUV光吸収により特性化された金属を添加することにより,EUV光吸収を増強するための研究が求められている。このアプローチは,二次電子放出を増加させ,それによりPAG反応性を強化し,酸発生効率を改善することを意図している。著者らの以前の報告で報告したように,高いEUV光吸収によって特性化された金属の添加が感度を高めるかどうかを決定するために,PAGに対して0~2のモル量で低および高いEUV光吸収を有するZrO_2またはTeO_2ナノ粒子をドープしたレジスト試料の透過率測定および感度評価を行った。試料をNewSUBARUシンクロトロン放射施設でEUV曝露した。透過率測定および感度評価の結果は,ZrO_2ドープレジストが吸収または感度の変化を示さないが,TeO_2ドープレジストは両方の特性の増強を示すことを示した。これらの結果に基づいて,EUVレジストへの高いEUV光吸収により特性化された金属の添加は,そのEUV光吸収を増強し,二次電子放出を増加させ,それによりPAG反応性を増強し,酸生成効率を改善することを確認した。本報告で議論した努力において,PAGに直接金属を添加することがPAG自身のEUV光吸収を増加させることによって感度をさらに高めることができ,それによってPAGに及ぼす二次電子放出の効果を効率的に高めることができるかどうかを調べた。COPYRIGHT SPIE. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 二次電子放出 ,  高分子 ,  *レジスト ,  ナノ粒子 ,  反応性 ,  透過率 ,  キャラクタリゼーション ,  ドーピング ,  極端紫外線
準シソーラス用語： シンクロトロン放射施設 ,  NewSUBARU ,  *EUVレジスト , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (3件)： EUVレジスト ,  感度 ,  研究