文献

J-GLOBAL ID：201902271003320890   整理番号：19A0491131

GaSbと関連半導体のエピタクシーと発光特性の簡単なレビュー【JST・京大機械翻訳】

Brief Review of Epitaxy and Emission Properties of GaSb and Related Semiconductors

著者 (7件)： Niu Shouzhu (State Key Laboratory of High Power Semiconductor Lasers, School of Science, Changchun University of Science and Technology, 7089 Wei-Xing Road, Changchun 130022, China) ,  Wei Zhipeng (State Key Laboratory of High Power Semiconductor Lasers, School of Science, Changchun University of Science and Technology, 7089 Wei-Xing Road, Changchun 130022, China) ,  Fang Xuan (State Key Laboratory of High Power Semiconductor Lasers, School of Science, Changchun University of Science and Technology, 7089 Wei-Xing Road, Changchun 130022, China) ,  Wang Dengkui (State Key Laboratory of High Power Semiconductor Lasers, School of Science, Changchun University of Science and Technology, 7089 Wei-Xing Road, Changchun 130022, China) ,  Wang Xinwei (State Key Laboratory of High Power Semiconductor Lasers, School of Science, Changchun University of Science and Technology, 7089 Wei-Xing Road, Changchun 130022, China) ,  Gao Xian (State Key Laboratory of High Power Semiconductor Lasers, School of Science, Changchun University of Science and Technology, 7089 Wei-Xing Road, Changchun 130022, China) ,  Chen Rui (Department of Electrical and Electronic Engineering, South University of Science and Technology of China, Shenzhen 518055, China)
資料名： Crystals (Web)  (Crystals (Web))
巻： 7  号： 11  ページ： 337  発行年： 2017年 
JST資料番号： U7169A  ISSN： 2073-4352  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： III-V族半導体は,オプトエレクトロニクスおよび電子応用における利用に対するそれらの潜在的利点のために,大きな注目を集めている。高いキャリア移動度と狭いバンドギャップ(300Kで0.725eV)を示すアンチモン化ガリウム(GaSb)とGaSb関連半導体は,中赤外領域における高性能オプトエレクトロニクスのための適切な候補として認識されている。しかし,得られたデバイスの性能は材料の構造と発光特性に強く依存する。したがって,結晶品質の向上,合金成分の調整,および発光特性の改善は,GaSb半導体に向けた研究努力の焦点になっている。分子線エピタクシー(MBE)は,特に高い結晶品質と有益な光学特性のために,GaSbの大規模生産に適している。GaSb関連合金と化合物から成る膜とナノ構造を含むGaSb材料のエピタクシーにおける最近の進歩をレビューした。これらの材料の発光特性と合金成分および材料構造との関係についても考察した。特定の例を含めて,相乗的なエピタクシー過程に含まれる一般的な物理的および光学的性質とパラメータに関する洞察を提供した。さらに,GaSb材料のエピタクシーの更なる方向を予測した。Copyright 2019 The Author(s) All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： バンドギャップ ,  光学的性質 ,  キャリア移動度 ,  *エピタクシー ,  オプトエレクトロニクス ,  *半導体 ,  光ルミネセンス ,  合金 ,  *アンチモン化ガリウム ,  ナノ構造 ,  MBE成長
準シソーラス用語： 合金組成 ,  結晶品質 ,  赤外領域 ,  *発光特性 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： アンチモン化ガリウム ,  合金と化合物 ,  ナノ構造 ,  光ルミネセンス ,  分子線エピタクシー

分類 (2件)： 半導体レーザ  (BD04070L) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

引用文献 (107件)：

• Borg, B.M.; Wernersson, L.E. Synthesis and properties of antimonide nanowires. Nanotechnology 2013, 24, 202001.
• Cui, Q.; Yang, Y.; Li, J.; Teng, F.; Wang, X. Material and device architecture engineering toward high performance two-dimensional (2D) photodetectors. Crystals 2017, 7, 149.
• Chen, H.; Liu, H.; Zhang, Z.; Hu, K.; Fang, X. Nanostructured photodetectors: From ultraviolet to terahertz. Adv. Mater. 2016, 28, 403-433.
• Zhang, Y.; Wu, J.; Aagesen, M.; Liu, H. III-V nanowires and nanowire optoelectronic devices. J. Phys. D Appl. Phys. 2015, 48, 463001.
• Li, L.; Pan, D.; Xue, Y.; Wang, X.; Lin, M.; Su, D.; Zhang, Q.; Yu, X.; So, H.; Wei, D. Near full-composition-range high-quality GaAs1-xSbx nanowires grown by molecular-beam epitaxy. Nano Lett. 2017, 17, 622-630.

タイトルに関連する用語 (4件)： GaSb ,  エピタクシー ,  発光特性 ,  レビュー