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J-GLOBAL ID：201902271907209836   整理番号：19A0645574

スパッタリング法により堆積したゲート絶縁体としての高k SrTa_2O_6を用いた非晶質InGaZnO薄膜トランジスタの改良【JST・京大機械翻訳】

Improvement of Amorphous InGaZnO Thin-Film Transistor Using High-k SrTa₂O₆ as Gate Insulator Deposited by Sputtering Method

著者 (8件)： Takahashi Takanori (National Institute of Technology, Tsuruoka College 104 Sawada, Tsuruoka, Yamagata 997-8511, Japan) ,  Hoga Takeshi (National Institute of Technology, Tsuruoka College 104 Sawada, Tsuruoka, Yamagata 997-8511, Japan) ,  Miyanaga Ryoko (Nara Institute of Science and Technology 8916-5 Takayama-cho, Ikoma, Nara 630-0192, Japan) ,  Oikawa Kento (Nara Institute of Science and Technology 8916-5 Takayama-cho, Ikoma, Nara 630-0192, Japan) ,  Fujii Mami N. (Nara Institute of Science and Technology 8916-5 Takayama-cho, Ikoma, Nara 630-0192, Japan) ,  Ishikawa Yasuaki (Nara Institute of Science and Technology 8916-5 Takayama-cho, Ikoma, Nara 630-0192, Japan) ,  Uraoka Yukiharu (Nara Institute of Science and Technology 8916-5 Takayama-cho, Ikoma, Nara 630-0192, Japan) ,  Uchiyama Kiyoshi (National Institute of Technology, Tsuruoka College 104 Sawada, Tsuruoka, Yamagata 997-8511, Japan)
資料名： Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science  (Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 216  号： 5  ページ： e1700773  発行年： 2019年 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 1862-6300  CODEN： PSSABA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,ゲート絶縁体としてスパッタした高k SrTa_2O_6(STA)を有するInGaZnOベース薄膜トランジスタ(TFT)を作製した。STAによるIGZO-TFTは,良好なTFT性能,すなわち,11.1cm~2V~-1s-1の電界効果移動度,0.6Vのしきい値電圧,163mV/10年のサブ閾値スイング,および7.8×10~9のオン/オフ比で,5V以下の低電圧動作を示した。熱成長SiO_2ゲート絶縁体と比較して,サブ閾値スイングは,STAゲート絶縁体の使用によって改善された。さらに,高オン電流と低ゲート漏れ電流を得た。これらの特性は,STAの十分な電気的性質,すなわち,300kVcm-1において,30の高い誘電率と2.6×10~8Acm-2の低い漏れ電流密度に起因している。Copyright 2019 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *非晶質 ,  *ゲート絶縁膜 ,  *スパッタ蒸着 ,  電流 ,  電気的性質 ,  *薄膜トランジスタ ,  誘電率 ,  一酸化ケイ素 ,  低電圧 ,  閾値電圧 ,  電界効果移動度 ,  酸化インジウム・ガリウム・亜鉛
準シソーラス用語： 漏れ電流密度 ,  ゲート漏れ電流 ,  サブ閾値スイング , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： ゲート絶縁体 ,  高k ,  InGaZnO ,  SrTa2O6 ,  薄膜トランジスタ

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： スパッタリング法 ,  堆積 ,  ゲート絶縁体 ,  非晶質 ,  トランジスタ