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J-GLOBAL ID：201902273743582036   整理番号：19A0610727

電圧印加時GaAs p-n接合の高精度電子線ホログラフィーその場観察

Precise Potential Observation of a Biased GaAs p-n Junction by in situ Phase-shifting Electron Holography

著者 (8件)： 穴田智史 (一般財団法人ファインセラミックスセンター) ,  山本和生 (一般財団法人ファインセラミックスセンター) ,  平山司 (一般財団法人ファインセラミックスセンター) ,  佐々木宏和 (古河電気工業株式会社) ,  堀祐臣 (古河電気工業株式会社) ,  衣川耕平 (古河電気工業株式会社) ,  今村明博 (古河電気工業株式会社) ,  柴田直哉 (東京大学・ファインセラミックスセンター)
資料名： まてりあ  (Materia Japan)
巻： 58  号： 2  ページ： 101(J-STAGE)  発行年： 2019年 
JST資料番号： F0163A  ISSN： 1340-2625  CODEN： MTERE2  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： ・半導体デバイス開発を行う上でデバイス動作中の現象をその場観察することが重要となるが,本稿ではGaAsのp-n接合に電場印加した際のその場観察事例を紹介。
・透過型電子顕微鏡内に構築した電圧印加装置を介してGaAs p-n接合に電圧を印加し,その際の電位変化を電子線ホログラフィを用いて観察。

シソーラス用語： *ヒ化ガリウム ,  PN接合 ,  *その場観察 ,  *ホログラフィー ,  供給 ,  電位分布
準シソーラス用語： 電圧印加 ,  *電子線ホログラフィー

著者キーワード (3件)： electron beam holography ,  p-n junction ,  cooling focused ion beam

分類 (2件)： 粒子光学一般  (BD02010J) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

引用文献 (1件)：

• (1) S. Anada, K. Yamamoto, H. Sasaki, N. Shibata, Y. Hori, K. Kinugawa, A. Imamura and T. Hirayama: J. Appl. Phys., 122(2017), 225702.

タイトルに関連する用語 (4件)： 電圧印加 ,  GaAs ,  電子線ホログラフィー ,  その場観察