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J-GLOBAL ID：201902273911403900   整理番号：19A2619957

電子ビーム照射下における二次元MoS₂の構造変化解析

著者 (3件)： 多田和広 (富山工高専) ,  仲田健人 (富山工高専) ,  安田雅昭 (大阪府大)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 80th  ページ： ROMBUNNO.20p-PB2-4  発行年： 2019年09月04日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： はじめに シリコン半導体の微細化の限界が叫ばれる中,次世代デバイスの実現を目的とし,シリコン以外の材料研究が行われている.その中で,厚さが数原子分しかない二次元材料が注目されている.代表的な二次元材料であるグラフェンにはバンドギャップが存在...【本文一部表示】

シソーラス用語： 電子ビーム ,  *電子照射 ,  *硫化モリブデン ,  変化 ,  計算機シミュレーション ,  カルコゲン化物 ,  遷移金属化合物 ,  低次元系 ,  バンドギャップ ,  グラフェン ,  構造変化 ,  分子動力学シミュレーション ,  遷移金属ダイカルコゲナイド ,  計算機利用 ,  利用
準シソーラス用語： 二次元系 ,  遷移金属ジカルコゲナイド

分類 (2件)： 電子・陽電子との相互作用一般  (BK16051U) ,  金属酸化物及び金属カルコゲン化物の結晶構造  (BK07020Y)

タイトルに関連する用語 (3件)： 電子ビーム照射 ,  MoS2 ,  解析