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J-GLOBAL ID：201902274149667971   整理番号：19A0098696

Au(111)電極表面上のCu-UPdプロセスに及ぼす物理吸着ジオクタデシルスルフィドの速度論の影響に関するサイクリックボルタンメトリーおよびその場赤外反射吸収分光法による研究

Cyclic Voltammetry and in situ Infrared Reflection Absorption Spectroscopy on Kinetic Effect of Physisorbed Dioctadecylsulfide on a Cu-UPD Process on Au(111) Electrode Surface

著者 (4件)： Endo Osamu (Department of Organic and Polymer Materials Chemistry, Faculty of Engineering, Tokyo University of Agriculture and Technology) ,  Ozaki Hiroyuki (Department of Organic and Polymer Materials Chemistry, Faculty of Engineering, Tokyo University of Agriculture and Technology) ,  Nakamura Masashi (Department of Applied Chemistry and Biotechnology, Faculty of Engineering, Chiba University) ,  Amemiya Kenta (Photon Factory, High Energy Accelerator Research Organization (KEK-PF), Institute of Materials Structure Science (IMSS))
資料名： e-Journal of Surface Science and Nanotechnology (Web)  (e-Journal of Surface Science and Nanotechnology (Web))
巻： 16  ページ： 60-65(J-STAGE)  発行年： 2018年 
JST資料番号： U0016A  ISSN： 1348-0391  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Au(111)電極上のジオクタデシルスルフィド(DOS)の自己集合単分子層(SAM)の存在は硫酸溶液中の銅のアンダーポテンシャル電着(UPD)に影響する。UPDの第一段階,すなわち,銅のハニカム構造から成る√3×√3R30°格子の形成は,鎖軸が表面に平行な低密度相のDOS SAMにより遅延される。中性分子はゼロ電荷(pzc)の電位付近でAu(111)電極表面に優先的に吸着され,これは硫酸溶液中で約-0.1V(対Hg|Hg₂SO₄)である。この電位での銅イオンの吸着はDOS SAMにより阻害され,第一段階で連続したCu-UPD過程を遅らせる。対照的に,鎖軸が直立している高密度相のDOS SAMは全UPD過程を阻害した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *金電極 ,  結晶面 ,  *単分子層 ,  硫酸 ,  *アンダポテンシャル電着 ,  *銅 ,  金属イオン ,  銅化合物 ,  吸着 ,  ハニカム構造 ,  分子配向 ,  *サイクリックボルタンメトリー ,  *赤外反射吸収分光法
準シソーラス用語： 自己集合単分子層 ,  *SAM【単分子層】 ,  銅イオン ,  零電荷電位 ,  IRAS法

著者キーワード (4件)： アルキルスルフィド ,  Au(111) ,  自己集合単分子層 ,  IRAS

分類 (2件)： 電気化学反応  (CB07050F) ,  物理的手法を用いた吸着の研究  (CB12043P)

物質索引 (1件)： ジオクタデシルスルフィド

引用文献 (35件)：

• [1] J. C. Love, L. A. Estroff, J. K. Kriebel, R. G. Nuzzo, and G. M. Whitesides, Chem. Rev. 105, 1103 (2005). https://doi.org/10.1021/cr0300789
• [2] Y. Zhu, M. L. Free. R. Woollam, and W. Durnie, Prog. Mater. Sci., 90, 159 (2017). https://doi.org/10.1016/j.pmatsci.2017.07.006
• [3] R. K. Smith, P. A. Lewis, and P. S. Weiss, Prog. Surf. Sci. 75, 1 (2004). https://doi.org/10.1016/j.progsurf.2003.12.001
• [4] C. J. Kiely, J. Fink, M. Brust, D. Bethell, and D. J. Schiffrin, Nature 396, 444 (1998). https://doi.org/10.1038/24808
• [5] K. Uosaki and R. Yamada, J. Am. Chem. Soc. 121, 4090 (1999). https://doi.org/10.1021/ja984369o

タイトルに関連する用語 (10件)： Au ,  電極表面 ,  Cu ,  プロセス ,  物理吸着 ,  ジオクタデシルスルフィド ,  速度論 ,  サイクリックボルタンメトリー ,  赤外反射吸収分光法 ,  研究