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J-GLOBAL ID：201902274863257713   整理番号：19A1415303

スパッタしたCu_2O:N/c-Siヘテロ接合ダイオードの作製と特性評価【JST・京大機械翻訳】

Fabrication and characterization of sputtered Cu₂O:N/c-Si heterojunction diode

著者 (4件)： Takiguchi Yuki (Department of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology, Tokyo 152-8550, Japan) ,  Takei Yutaro (Department of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology, Tokyo 152-8550, Japan) ,  Nakada Kazuyoshi (Department of Electrical and Electronic Engineering, Tokyo Institute of Technology, Tokyo 152-8550, Japan) ,  Miyajima Shinsuke (Department of Electrical and Electronic Engineering, Tokyo Institute of Technology, Tokyo 152-8550, Japan)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 111  号： 9  ページ： 093501-093501-4  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 反応性スパッタリングにより堆積した窒素ドープ酸化銅(Cu_2O:N)を,結晶シリコン(c-Si)ベースのヘテロ接合ダイオードに適用した。作製したダイオードの電流密度-電圧(J-V)特性は±1Vで10~5の高い整流比をもつ整流特性を示した。容量-電圧測定は,Cu_2O:N/c-Si界面における大きな伝導帯オフセットと小さな価電子帯オフセットの存在を明らかにした。それは,Cu_2O:Nがn型c-Siベースのヘテロ接合太陽電池における正孔選択エミッタ層のための適切な材料であることを意味する。温度依存J-V特性の詳細な解析は,ダイオード電流がCu_2O:N/c-Si界面でのFermi準位ピン止めに起因する界面再結合によって制限されることを示した。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： Fermi準位 ,  温度依存性 ,  ピン止め ,  価電子バンド ,  伝導バンド ,  再結合 ,  オフセット ,  界面 ,  *ヘテロ接合 ,  *ダイオード ,  電流密度 ,  電流 ,  正孔 ,  電圧 ,  整流

分類 (1件)： 発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (6件)： スパッタ ,  Si ,  ヘテロ接合 ,  ダイオード ,  作製 ,  特性評価