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J-GLOBAL ID：201902275259238010   整理番号：19A1415331

パルス動作下の有機薄膜デバイスのジュール熱誘起破壊【JST・京大機械翻訳】

Joule heat-induced breakdown of organic thin-film devices under pulse operation

著者 (6件)： Yoshida Kou (Center for Organic Photonics and Electronics Research (OPERA), Kyushu University, 744 Motooka, Nishi, Fukuoka 819-0395, Japan) ,  Matsushima Toshinori (Center for Organic Photonics and Electronics Research (OPERA), Kyushu University, 744 Motooka, Nishi, Fukuoka 819-0395, Japan) ,  Shiihara Yu (Center for Organic Photonics and Electronics Research (OPERA), Kyushu University, 744 Motooka, Nishi, Fukuoka 819-0395, Japan) ,  Kuwae Hiroyuki (Nano-Science and Nano-Engineering, Waseda University, 3-4-1 Okubo, Shinjuku, Tokyo 169-8555, Japan) ,  Mizuno Jun (Nano-Science and Nano-Engineering, Waseda University, 3-4-1 Okubo, Shinjuku, Tokyo 169-8555, Japan) ,  Adachi Chihaya (Center for Organic Photonics and Electronics Research (OPERA), Kyushu University, 744 Motooka, Nishi, Fukuoka 819-0395, Japan)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 121  号： 19  ページ： 195503-195503-6  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 有機薄膜素子の最大電流密度(J_max)に及ぼす基板の熱伝導率(k)と電気パルス幅(τ_パルス)の影響を調べた。また,数値計算を用いてパルス動作下の素子内部の温度上昇(ΔT)を推定し,J_maxの観測された差を解釈した。5μsの長いτ_パルスに対して,J_maxは低kプラスチック基板(約0.4kA/cm2)をもつ素子よりも高kサファイア基板(約1.2kA/cm2)をもつ素子に対して高かった。これは,高kサファイア基板が,このような長いτ_パルスに対してΔTを緩和するためのヒートシンクとして働くことができるからである。70nsの短いτ_パルスに対する高kサファイア基板による素子の動作は,ΔTの更なる緩和をもたらし,J_maxの約5kA/cm2への増加をもたらした。興味深いことに,このような短いτ_パルスに対して,高kサファイアと低kプラスチック基板を持つデバイスは,類似のJ_maxとΔT値を示し,その理由は,生成Joule熱がこの短時間内に低k有機層を横切って基板に移動するのが困難である理由である。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 熱伝導率 ,  サファイア ,  *パルス ,  基板 ,  ヒートシンク ,  昇温 ,  数値計算
準シソーラス用語： 有機層 ,  サファイア基板 ,  電気パルス ,  *Joule熱 ,  *有機薄膜 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 発光素子  (NC03082G) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (5件)： パルス ,  有機薄膜 ,  ジュール熱 ,  誘起 ,  破壊