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J-GLOBAL ID：201902275363768867   整理番号：19A1408885

単分子層Mo_1-xW_xS_2遷移金属ジカルコゲナイドにおける粒界転位での化学選択性【JST・京大機械翻訳】

Chemical Selectivity at Grain Boundary Dislocations in Monolayer Mo_1-xW_xS₂ Transition Metal Dichalcogenides

著者 (13件)： Wang Ziqian (Department of Materials Science and Engineering, Johns Hopkins University, Maryland, United States) ,  Wang Ziqian (Advanced Institute for Materials Research, Tohoku University, Japan) ,  Shen Yuhao (Key Laboratory of Polar Materials and Devices, East China Normal University, P. R. China) ,  Ning Shoucong (Department of Mechanical and Aerospace Engineering, School of Engineering, Hong Kong University of Science and Technology, Hong Kong SAR) ,  Ito Yoshikazu (Institute of Applied Physics, Graduate School of Pure and Applied Sciences, University of Tsukuba, Japan) ,  Liu Pan (State Key Laboratory of Metal Matrix Composites, School of Materials Science and Engineering, Shanghai Jiao Tong University, P.R. China) ,  Tang Zheng (Key Laboratory of Polar Materials and Devices, East China Normal University, P. R. China) ,  Fujita Takeshi (Advanced Institute for Materials Research, Tohoku University, Japan) ,  Hirata Akihiko (Advanced Institute for Materials Research, Tohoku University, Japan) ,  Chen Mingwei (Department of Materials Science and Engineering, Johns Hopkins University, Maryland, United States) ,  Chen Mingwei (Advanced Institute for Materials Research, Tohoku University, Japan) ,  Chen Mingwei (State Key Laboratory of Metal Matrix Composites, School of Materials Science and Engineering, Shanghai Jiao Tong University, P.R. China) ,  Chen Mingwei (CREST, Japan Science and Technology Agency, Japan)
資料名： ACS Applied Materials & Interfaces  (ACS Applied Materials & Interfaces)
巻： 9  号： 35  ページ： 29438-29444  発行年： 2017年09月06日 
JST資料番号： W2329A  ISSN： 1944-8244  CODEN： AAMICK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 結晶粒界(GB)は多結晶材料において不可避の結晶欠陥であり,それらの特性に著しく影響する。しかし,2D遷移金属ジカルコゲナイド合金におけるGBsの構造と化学は十分に確立されていない。ここでは,Mo_1-xW_xS_2単分子層におけるGB転位コアにおける遷移金属原子の顕著な化学選択性を報告する。バルク結晶における古典的弾性場駆動転位偏析とは異なり,2D結晶における化学選択性は転位コアにおける原子配位数の変化から顕著に生じた。この観察は,2D材料における結晶欠陥の化学に及ぼすトポロジー効果への原子的洞察を提供する。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 格子欠陥 ,  *遷移金属 ,  合金 ,  *単分子層 ,  配位数 ,  偏析 ,  弾性 ,  位相幾何学 ,  *結晶粒界 ,  結晶 ,  二次元 ,  多結晶
準シソーラス用語： 転位芯 ,  *化学選択性 ,  *遷移金属ダイカルコゲナイド , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 二次元材料 ,  遷移金属ジカルコゲナイド ,  転位 ,  化学選択性 ,  粒界

分類 (3件)： 表面の電子構造  (BM02080J) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  その他の無機化合物の格子欠陥  (BK12050B)

タイトルに関連する用語 (3件)： 単分子層 ,  遷移金属ジカルコゲナイド ,  化学選択性