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J-GLOBAL ID:201902275381878731   整理番号:19A1939581

ナノスケールElectronデバイス作製のための動的押込により測定した10nm絶縁膜の弾性応答【JST・京大機械翻訳】

Elastic Response of 10-nm Insulator Films Measured by Dynamic Indentation for Nano-scale Electron Device Fabrication
著者 (5件):
資料名:
巻: 2019  号: SNW  ページ: 1-2  発行年: 2019年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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本研究では,動的押込原子間力顕微鏡(DI-AFM)による超薄絶縁膜の機械的性質のナノスケール測定に取り組んだ。DI-AFMの能力を検討し,GeとS.i上の10nm膜の剛性と弾性係数の定量的評価におけるいくつかの課題を明らかにした。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (1件):
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図形・画像処理一般 
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