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J-GLOBAL ID：201902276059572269   整理番号：19A2619510

BaTiO₃-FTJの抵抗変化メモリ効果とシナプス応用

著者 (4件)： 澤彰仁 (産業技術総合研) ,  山田浩之 (産業技術総合研) ,  STOLIAR Pablo (産業技術総合研) ,  豊崎喜精 (産業技術総合研)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 80th  ページ： ROMBUNNO.20p-C309-10  発行年： 2019年09月04日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 酸化物の抵抗スイッチング現象を利用した抵抗変化不揮発性メモリ(Resistance Random Access Memory; ReRAM)が次世代不揮発性メモリの候補として注目されるようになり、現在、世界的に研究開発が行われている。しかし...【本文一部表示】

シソーラス用語： *チタン酸バリウム ,  *トンネル接合 ,  *RAM【メモリ】 ,  *シナプス ,  神経可塑性 ,  スイッチング ,  *抵抗変化メモリ ,  シナプス可塑性
準シソーラス用語： *強誘電体トンネル接合

分類 (2件)： 強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (5件)： BaTiO3 ,  抵抗変化 ,  メモリ効果 ,  シナプス ,  応用