文献

J-GLOBAL ID：201902277380348803   整理番号：19A1269971

プラズマ誘起電子欠陥:水素化非晶質シリコンにおける生成と消滅動力学【JST・京大機械翻訳】

Plasma-Induced Electronic Defects: Generation and Annihilation Kinetics in Hydrogenated Amorphous Silicon

著者 (3件)： Nunomura Shota (Research Center for Photovoltaics, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, Japan) ,  Sakata Isao ,  Matsubara Koji
資料名： Physical Review Applied  (Physical Review Applied)
巻： 10  号： 5  ページ： 054006  発行年： 2018年 
JST資料番号： W3691A  ISSN： 2331-7019  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： プラズマ処理は,最先端の半導体デバイスの製造のための重要な技術である。デバイス性能はプラズマ処理中に発生する電子欠陥により制限されるが,これらの欠陥の大部分はポストアニーリングにより消滅する。ここでは,水素-([数式:原文を参照]-)およびアルゴン-([数式:原文を参照]-)プラズマ処理中の水素化非晶質シリコン([数式:原文を参照])における欠陥動力学を実験的に研究し,また,連続的ポストアニーリングを行った。シリコンダングリングボンドのような電子欠陥の発生と消滅を光電流のその場測定により監視した。測定から以下の結果を得た。(i)欠陥は[数式:原文を参照]プラズマに対するH原子や[数式:原文を参照]プラズマに対する準安定[数式:原文を参照]原子のようなラジカル種により支配的に生成される。(ii)[数式:原文を参照]イオン衝撃は残留欠陥を生成するが,[数式:原文を参照]イオン衝撃はそのような欠陥を生成しない。残留欠陥は,追加の[数式:原文を参照]プラズマとポストアニーリング処理によりほとんど回復した。(iii)欠陥の消滅は伸長指数関数挙動を示し,[数式:原文を参照]の分散性を明らかにした。(iv)欠陥の消滅に対する活性化エネルギーは欠陥発生の起源に依存する。プラズマ処理により発生した欠陥の活性化エネルギーは,光子照射により誘起された欠陥に比べて小さかった。欠陥の発生と消滅に対する速度方程式を記述し,欠陥動力学を水素拡散に関連した微細構造変化の観点から議論した。Copyright 2019 The American Physical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *アモルファスシリコン ,  イオン衝突 ,  *ケイ素 ,  活性化エネルギー ,  *プラズマ ,  *水素化 ,  ラジカル ,  微細構造 ,  ダングリングボンド ,  プラズマ処理 ,  レート方程式 ,  指数関数 ,  光電流 ,  現場測定
準シソーラス用語： ポストアニーリング , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： プラズマ ,  誘起 ,  電子 ,  欠陥 ,  水素化 ,  非晶質シリコン ,  動力学