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J-GLOBAL ID:201902277569175491   整理番号:19A2437009

成膜温度を変化させて作製したYBa2Cu3O7+BaHfO3薄膜の磁束ピンニング特性

Deposition-Temperature Dependence of Vortex Pinning Property in YBa2Cu3O7+BaHfO3 Film
著者 (7件):
資料名:
巻: 83  号:ページ: 320-326(J-STAGE)  発行年: 2019年 
JST資料番号: G0023A  ISSN: 0021-4876  CODEN: NIKGAV  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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磁場中での臨界電流密度(Jc)の改善がYBa2Cu3O7膜において求められ,プロセスパラメータがピンニングセンターを制御するために最適化されるべきである。本研究においては,ナノロッド構造を制御するためにYBa2Cu3O7+BaHfO3膜のパルスレーザ蒸着において蒸着温度を変化させ,そしてJcに及ぼすその影響を解析した。850°Cで蒸着したYBa2Cu3O7+BaHfO3膜は,40Kにおいて413GN/m3の高いピン止め力最大(Fp,max)を示し,一方,850°Cで蒸着したものの77KでのFp,maxは900°Cで蒸着したYBa2Cu3O7+BaHfO3膜におけるものより小さかった。蒸着温度の低下と共に臨界温度および整合磁場は増加した。Jc値の臨界温度および整合磁場依存性がFp,maxを支配するために,蒸着温度の上昇は高温でのFp,maxを改善するのに効果的である。他方,整合磁場に一致するFpシフトがFp,maxに支配的であるため,低い蒸着温度は低温でのFp,maxを改善する。このように,臨界温度および整合磁場に伴うJc変動を考慮し,ナノロッドを含むYBa2Cu3O7膜のパルスレーザ蒸着において蒸着温度を設定すべきである。(翻訳著者抄録)
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分類 (2件):
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酸化物系超伝導体の物性  ,  酸化物薄膜 
引用文献 (24件):
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