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J-GLOBAL ID:201902277777548757   整理番号:19A2367615

層状カルコゲン化物に基づく二次元ヘテロ構造の連続的なheteroepitaxy【JST・京大機械翻訳】

Continuous Heteroepitaxy of Two-Dimensional Heterostructures Based on Layered Chalcogenides
著者 (10件):
資料名:
巻: 13  号:ページ: 7527-7535  発行年: 2019年 
JST資料番号: W2326A  ISSN: 1936-0851  CODEN: ANCAC3  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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原子的に薄い層状材料の面内接続と層毎積層は,エキゾチックな物理的性質と将来の工学応用を持つ二次元(2D)ヘテロ構造の作製を可能にすると期待される。しかし,界面劣化,汚染,および/または合金化なしに,広範囲の原子層の組立を可能にする連続成長プロセスを開発することが現在必要である。ここでは,高い供給制御性を有する金属有機液体前駆体を用いた層状遷移金属ジカルコゲナイド(TMDC)単分子層に基づく2Dマルチヘテロ構造とナノリボンの連続ヘテロエピタキシャル成長について報告する。この汎用プロセスは成長過程中の空気曝露を避けることができ,界面の周りに欠陥や合金形成のない超希薄原子的に鋭くジグザグ端の直線接合を持つ面内ヘテロ構造の形成を可能にする。グラファイト上に直接成長させた試料について,走査トンネル顕微鏡と分光法により原子的に鋭いヘテロ界面の局所電子状態密度を第一原理計算と共に調べた。これらの結果は,原子層ベースの量子細線や超格子のような多様なナノ構造を実現するためのアプローチを実証し,エレクトロニクスやオプトエレクトロニクスの分野での進歩した応用を示唆する。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (3件):
分類
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固体の表面構造一般  ,  薄膜成長技術・装置  ,  その他の無機化合物の薄膜 
タイトルに関連する用語 (3件):
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