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J-GLOBAL ID：201902278156553764   整理番号：19A0487768

高効率多結晶SnSe熱電素子のための多層メタライゼーション構造の開発【JST・京大機械翻訳】

Multi-Layer Metallization Structure Development for Highly Efficient Polycrystalline SnSe Thermoelectric Devices

著者 (5件)： Kim Yeongseon (School of Electrical Engineering, Korea Advanced Institute of Science and Technology (KAIST), 291 Daehak-ro, Yuseong-gu, Daejeon 305-701, Korea) ,  Kim Yeongseon (Advanced Materials and Devices Laboratory, Korea Institute of Energy Research, 152 Gajung-ro, Yuseong-gu, Daejeon 305-343, Korea) ,  Yoon Giwan (School of Electrical Engineering, Korea Advanced Institute of Science and Technology (KAIST), 291 Daehak-ro, Yuseong-gu, Daejeon 305-701, Korea) ,  Cho Byung Jin (School of Electrical Engineering, Korea Advanced Institute of Science and Technology (KAIST), 291 Daehak-ro, Yuseong-gu, Daejeon 305-701, Korea) ,  Park Sang Hyun (Advanced Materials and Devices Laboratory, Korea Institute of Energy Research, 152 Gajung-ro, Yuseong-gu, Daejeon 305-343, Korea)
資料名： Applied Sciences (Web)  (Applied Sciences (Web))
巻： 7  号： 11  ページ： 1116  発行年： 2017年 
JST資料番号： U7135A  ISSN： 2076-3417  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 最近,非常に高いZT(性能指数)をもつSnSe材料は,非常に効率的な熱電素子に対するその強い適用性のために多くの注目を集めている。最初のジャーナル出版に続く多くの研究は,熱電デバイスではなくSnSe材料に焦点を当ててきた。特に,この有望な熱電材料を持つ高効率中間温度(6001000K)熱電モジュールを実現するために,モジュールがこの温度範囲で発電を安定に実行できるように,より熱的で電気的に信頼性のある界面接合技術を開発する必要がある。本研究では,SnSe熱電脚上のメタライゼーション層を開発するためのいくつかのアプローチを実証した。単層メタライゼーションは,それらの電気接触抵抗と元素拡散の限界を示す。Ag/Co/Ti多層メタライゼーションは,より強固な界面を提供することに加えて,それらの電気接触抵抗を低下させる。さらに,723Kで20時間の熱処理後でも,界面特性を著しい劣化なしに維持することが分かった。これらの結果はSnSe熱電材料で作られた熱電素子またはモジュールの作製に効果的に適用できる。Copyright 2019 The Author(s) All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 界面 ,  接触抵抗 ,  *多結晶 ,  熱処理 ,  熱電材料 ,  性能指数 ,  単一層 ,  信頼性 ,  *メタライゼーション ,  適応性 ,  *多層 ,  ロバスト性 ,  *熱電素子
準シソーラス用語： 電気接触 ,  *高効率 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： セレン化スズ ,  熱電モジュール ,  接触抵抗 ,  メタライゼーション

分類 (1件)： 熱電デバイス  (NC03090J)

引用文献 (14件)：

• Rogl, G.; Grytsiv, A.; Rogl, P.; Bauer, E.; Hochenhofer, M.; Anbalagan, R.; Mallik, R.C.; Schafler, E. Nanostructuring of p- and n-type skutterudites reaching figures of merit of approximately 1.3 and 1.6, respectively. Acta Mater. 2014, 76, 434-448.
• Tan, G.; Shi, F.; Hao, S.; Zhao, L.D.; Chi, H.; Zhang, X.; Uher, C.; Wolverton, C.; Dravid, V.P.; Kanatzidis, M.G. Non-equilibrium processing leads to record high thermoelectric figure of merit in PbTe-SrTe. Nat. Commun. 2016, 7, 12167.
• Zhao, L.D.; Lo, S.H.; Zhang, Y.; Sun, H.; Tan, G.; Uher, C.; Wolverton, C.; Dravid, V.P.; Kanatzidis, M.G. Ultralow thermal conductivity and high thermoelectric figure of merit in SnSe crystals. Nature 2014, 508, 373-377.
• Dai, X.Q.; Wang, X.L.; Li, W.; Wang, T.X. Electronic properties of the SnSe-Metal contacts: First-principles study. Chin. Phys. B 2015, 24, 117308.
• Park, S.H.; Jin, Y.; Ahn, K.; Chung, I.; Yoo, C.Y. Ag/Ni Metallization Bilayer: A Functional Layer for Highly Efficient Polycrystalline SnSe Thermoelectric Modules. J. Electron. Mater. 2017, 46, 848-855.

タイトルに関連する用語 (6件)： 高効率 ,  多結晶 ,  熱電素子 ,  多層 ,  メタライゼーション ,  開発