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J-GLOBAL ID：201902280775796890   整理番号：19A2744978

DCセミオンストレスを受けたGaN HD-GITSにおけるドレイン電流の応力と回復動力学【JST・京大機械翻訳】

Stress and Recovery Dynamics of Drain Current in GaN HD-GITs Submitted to DC Semi-ON stress

著者 (6件)： Padovan V. (KAI GmbH, Europastrasse 8,9524, Villach, Austria) ,  Padovan V. (Institute of Solid State Electronics, TU Wien, Gusshausstrasse 25, 1040 Vienna, Austria) ,  Koller C. (KAI GmbH, Europastrasse 8,9524, Villach, Austria) ,  Pobegen G. (KAI GmbH, Europastrasse 8,9524, Villach, Austria) ,  Ostermaier C. (Infineon Technologies Austria AG, Siemensstrasse 2, 9500 Villach, Austria) ,  Pogany D. (Institute of Solid State Electronics, TU Wien, Gusshausstrasse 25, 1040 Vienna, Austria)
資料名： Microelectronics Reliability  (Microelectronics Reliability)
巻： 100-101  ページ： Null  発行年： 2019年 
JST資料番号： C0530A  ISSN： 0026-2714  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ドレイン電流の応力と回復の動力学を,半オン状態応力を受ける正規オフGaNハイブリッド-ドレイン埋め込みゲート注入トランジスタ(HD-GITs)で解析した。この条件下で,中程度のドレイン電流と高いドレイン電圧(350~650V)を同時に適用した。応力相の間,ドレイン電流はホットキャリアトラッピングにより顕著な減少を示し,印加ドレイン電圧,応力電流及び温度(30~190°C)に依存した。この劣化は,150~190°Cの温度範囲またはゲートからの正孔注入により熱的に回復可能である。ゲートバイアスV_GS<3Vに対して支配的な熱駆動過程とV_GS>3Vに対して支配的な正孔捕獲の両方を考慮して,デトラッピング時定数に対するモデルを与えた。Copyright 2019 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 時定数 ,  ホットキャリア ,  トランジスタ ,  *窒化ガリウム ,  *電流
準シソーラス用語： 正孔捕獲 ,  熱駆動 ,  ゲートバイアス ,  正孔注入 ,  温度範囲 ,  印加電圧 ,  トラッピング ,  ドレイン電圧 ,  オン状態 ,  *ドレイン電流 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (7件)： DC ,  GaN ,  HD ,  ドレイン電流 ,  応力 ,  回復 ,  動力学