文献
J-GLOBAL ID:201902281755984599   整理番号:19A2094357

MEMSウエハレベルパッケージングのための新しい方法:銅-すずスライドボンディングのための選択的かつ急速な誘導加熱【JST・京大機械翻訳】

A Novel Method for Mems Wafer-Level Packaging: Selective and Rapid Induction Heating for Copper-Tin Slid Bonding
著者 (5件):
資料名:
巻: 2019  号: TRANSDUCERS & EUROSENSORS XXXIII  ページ: 277-280  発行年: 2019年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
革新的な包装技術は新しいマイクロシステムの開発に必須である。異なる材料を一つのパッケージに統合するために,デバイス上の熱応力を最小化しなければならない。本論文では,ウエハレベルでの接合プロセスを支援し,強化するために,Cu-Sn層の選択的でエネルギー効率的な誘導加熱のための方法を提示した。技術的課題には,均一加熱用インダクタ設計,f=2.0MHzの周波数までの高周波電磁場の使用,および誘導装置の産業用ウエハボンダへの集積がある。赤外サーモグラフィー画像を用いて,ΔT>150K/sの非常に速い加熱速度での選択的発熱を特性化した。その結果,p=2.2MPaの低圧を適用することにより,t_結合=120.0sでウエハ接合プロセスを実行できた。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

準シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (2件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
固体デバイス製造技術一般  ,  図形・画像処理一般 

前のページに戻る