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J-GLOBAL ID：201902282164820570   整理番号：19A0890922

溶融シリカ上の化学蒸着により成長させた担持カーボンナノチューブ膜からの第二高調波発生

Second-harmonic generation from supported carbon nanotube films grown by chemical vapor deposition on fused silica

著者 (8件)： OKAWARA Satoru (Yokohama National Univ., Yokohama, JPN) ,  KUDO Masafumi (Yokohama National Univ., Yokohama, JPN) ,  MIYAMORI Mariko (Yokohama National Univ., Yokohama, JPN) ,  OHNO Shinya (Yokohama National Univ., Yokohama, JPN) ,  SHIMAZU Yoshihiro (Yokohama National Univ., Yokohama, JPN) ,  TANAKA Masatoshi (Yokohama National Univ., Yokohama, JPN) ,  SUZUKI Takanori (Yokohama National Univ., Yokohama, JPN) ,  SUZUKI Takanori (National Defense Acad., Kanagawa, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 58  号： 3  ページ： 032006.1-032006.7  発行年： 2019年03月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 表面第二高調波発生(SHG)は,溶融シリカ上のCVDにより成長させたカーボンナノチューブ(CNT)膜に対して,観察可能であることを示した。基本放射(1064nm)における入射面に垂直および平行な入射放射に対するSHG強度比は,2種類の成長膜に対して典型的な値を有することが観測された:すなわち,整列CNTを有する膜および基板シート上にランダム配向したCNTを有する膜である。SHGは,CNTバルクからではなく,膜表面から生じると論じた。2種類の膜に対して得られた分極比は,実際のCNT膜を近似するために用いた直径の異なる球状粒子の複合膜に対して計算したものと一致した。本知見は,CNTsのCVD成長過程における初期段階のその場評価に適用できる。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *石英ガラス ,  化学蒸着 ,  保持 ,  *カーボンナノチューブ ,  *炭素 ,  *薄膜 ,  *第二高調波発生 ,  配向 ,  粒子 ,  複合膜 ,  計算機シミュレーション ,  成長段階 ,  初期 ,  その場観察 ,  担持 ,  *炭素膜 ,  ランダム配向 ,  球状粒子 ,  計算機利用 ,  利用
準シソーラス用語： *溶融シリカ ,  成長過程 ,  初期段階

分類 (2件)： 非線形光学  (BD05000T) ,  薄膜成長技術・装置  (BK14020I)

引用文献 (36件)：

• S. Iijima, Nature 354, 56 (1991).
• P. Avouris, Z. Chen, and V. Perebeinos, Nat. Nanotechnol. 2, 605 (2007).
• M. F. L. De Volder, S. H. Tawfick, R. H. Baughman, and A. J. Hart, Science 339, 535 (2013).
• M. S. Dresselhaus, G. Dresselhaus, R. Saito, and A. Jorio, Phys. Rep. 409, 47 (2005).
• Y. Miyauchi, S. Chiashi, Y. Murakami, Y. Hayashida, and S. Maruyama, Chem. Phys. Lett. 387, 198 (2004).

タイトルに関連する用語 (6件)： 溶融シリカ ,  化学蒸着 ,  成長 ,  担持 ,  カーボンナノチューブ ,  第二高調波発生