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J-GLOBAL ID：201902282168402952   整理番号：19A1472871

[数式:原文を参照]上の二次元シリコンほう化物【JST・京大機械翻訳】

Two-dimensional silicon boride on [Formula : see text]

著者 (3件)： Aizawa Takashi (National Institute for Materials Science, 1-1 Namiki, Tsukuba, Ibaraki 305-0044, Japan) ,  Suehara Shigeru (National Institute for Materials Science, 1-1 Namiki, Tsukuba, Ibaraki 305-0044, Japan) ,  Otani Shigeki (National Institute for Materials Science, 1-1 Namiki, Tsukuba, Ibaraki 305-0044, Japan)
資料名： Physical Review Materials  (Physical Review Materials)
巻： 3  号： 1  ページ： 014005  発行年： 2019年 
JST資料番号： W3690A  ISSN： 2475-9953  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： [数式:原文を参照](0001)単結晶表面上に二次元のケイ化ケイ素相,「シリボロフェン」が形成され,これは基板の[数式:原文を参照]周期性と一致した。フォノン分散関係を高分解能電子エネルギー損失分光法を用いて測定し,第一原理密度汎関数理論に基づく理論予測と比較した。多くの理論的に導出された表面モデルの中で,[数式:原文を参照]からなる一つの構造のみが測定されたフォノン分散の詳細を再現できる。このモデルは,Si原子によりキャップされた環状ホウ素環([数式:原文を参照]),[数式:原文を参照]基,及びそれらを結合する[数式:原文を参照]様Si原子からなる。この構造はシリセンのそれよりもはるかにロバストである。それは1300Kまで秩序無秩序転移を示さない。この温度以上では,Siは徐々に脱着される。[数式:原文を参照]の孤立膜のElectronバンド計算は[数式:原文を参照]点でバンド交差を示し,この材料はFermi準位工学との利用に有望である。Copyright 2019 The American Physical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： Fermi準位 ,  *ケイ素 ,  ロバスト性 ,  基板 ,  *ホウ化物 ,  予測 ,  秩序無秩序転移 ,  珪化作用 ,  フォノン分散 ,  *二次元 ,  第一原理 ,  単結晶 ,  バンド交差 ,  密度汎関数法
準シソーラス用語： シリセン , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  固-気界面一般  (CB12041H)

タイトルに関連する用語 (4件)： 数式 ,  参照 ,  シリコン ,  ほう化物