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J-GLOBAL ID：201902282524664996   整理番号：19A1586915

n型半導体特性を有するFドープTi/Co_3O_4電極の作製と光電気化学性能に関する研究【JST・京大機械翻訳】

Study on the fabrication and photoelectrochemical performance of the F^- doped Ti/Co₃O₄ electrodes with n-type semiconductor characteristics

著者 (9件)： Ma Hongchao (School of Light Industry and Chemical Engineering, Dalian Polytechnic University, Dalian, People’s Republic of China) ,  Wang Xiaoqin (School of Light Industry and Chemical Engineering, Dalian Polytechnic University, Dalian, People’s Republic of China) ,  Fu Yinghuan (School of Light Industry and Chemical Engineering, Dalian Polytechnic University, Dalian, People’s Republic of China) ,  Fu Yinghuan (School of Chemistry Engineering and Material, Dalian Polytechnic University, Dalian, People’s Republic of China) ,  Zhang Yanan (School of Light Industry and Chemical Engineering, Dalian Polytechnic University, Dalian, People’s Republic of China) ,  Ma Chun (School of Light Industry and Chemical Engineering, Dalian Polytechnic University, Dalian, People’s Republic of China) ,  Dong Xiaoli (School of Light Industry and Chemical Engineering, Dalian Polytechnic University, Dalian, People’s Republic of China) ,  Yu Zhihui (School of Light Industry and Chemical Engineering, Dalian Polytechnic University, Dalian, People’s Republic of China) ,  Yu Zhihui (School of Chemistry Engineering and Material, Dalian Polytechnic University, Dalian, People’s Republic of China)
資料名： Journal of Solid State Electrochemistry  (Journal of Solid State Electrochemistry)
巻： 23  号： 6  ページ： 1767-1777  発行年： 2019年 
JST資料番号： W1021A  ISSN： 1432-8488  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ここでは,n型半導体特性を持つTi/Co_3O_4電極を,ドーパントとしてF-イオンを用いた典型的な水熱プロセスにより作製し,それらの形態制御を,水熱温度を調整することにより行った。FドープTi/Co_3O_4電極は,アントラキノン染料(反応性ブリリアントブルーKN-R)を分解するための光アノードとして使用でき,優れた光電気触媒(PEC)活性を示した。速いイオンと電子輸送,高い酸素発生ポテンシャル,低い抵抗,大きな活性領域,および良好な電解質浸透が,FドープTi/Co_3O_4システムのPEC活性の改善の原因であることを提案した。それにもかかわらず,針ナノワイヤで構成された発散花状構造を有するFドーピングTi/Co_3O_4電極は,他の電極のものより高いPEC活性を示した。静電反障壁の存在は金属(Ti)と半導体(Co_3O_4)の間の「オーム」接触から生じ,FドープTi/Co_3O_4電極のより高いPEC活性に対する重要な因子であることは注目に値する。本研究は,イオンドーピングと形態の調整の観点から,Co_3O_4光アノードの設計へのユニークな洞察を提供する。Copyright 2019 Springer-Verlag GmbH Germany, part of Springer Nature Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *N型半導体 ,  *半導体 ,  電解質 ,  *光電気化学 ,  浸透 ,  酸素発生 ,  形状制御 ,  活性部位 ,  イオン ,  *ドーピング ,  ナノワイヤ ,  アントラキノン染料 ,  ドーパント
準シソーラス用語： 電子輸送 ,  光アノード , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 光電気化学酸化 ,  Co4O4ナノ ,  光アノード ,  アントラキノン染料

分類 (2件)： 電気化学反応  (CB07050F) ,  塩基,金属酸化物  (CD01030Z)

タイトルに関連する用語 (6件)： N型半導体 ,  ドープ ,  Ti ,  作製 ,  光電気化学 ,  研究