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J-GLOBAL ID：201902282880800012   整理番号：19A0489193

マイクロセル形状の改良による高電圧垂直GaN LEDの性能改善【JST・京大機械翻訳】

Improved Performance of High-Voltage Vertical GaN LEDs via Modification of Micro-Cell Geometry

著者 (4件)： Wu Ping-Chen (Department of Materials Science and Engineering, National Chung Hsing University, Taichung 40227, Taiwan) ,  Ou Sin-Liang (Department of Materials Science and Engineering, Da-Yeh University, Changhua 51591, Taiwan) ,  Horng Ray-Hua (Institute of Electronics, National Chiao Tung University, Hsinchu 30010, Taiwan) ,  Wuu Dong-Sing (Department of Materials Science and Engineering, National Chung Hsing University, Taichung 40227, Taiwan)
資料名： Applied Sciences (Web)  (Applied Sciences (Web))
巻： 7  号： 6  ページ： 506  発行年： 2017年 
JST資料番号： U7135A  ISSN： 2076-3417  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 2×2マイクロセルを持つ垂直型高電圧発光ダイオード(HV-LED)をCu基板上に作製し,マイクロセル形状を修飾して光電子性能を向上させた。マイクロセルにおける電流の広がりは,チップの電極とエッジ間の距離によって最も支配的に影響される。正方形セルをHV-LEDに結合したとき,素子性能は電極の近くで起こる明白な電流混雑現象のために劣っていた。これは,これらの4つの正方形のマイクロセルにおける電極がすべて端部から遠く離れていることに起因し,激しい電流混雑現象をもたらした。反対に,HV-LEDを四つの長方形,三角形またはL型のマイクロセルで調製したので,電極はマイクロセルのエッジに近く,電流拡散効果は容易に改善できた。L形セルと接続したHV-LEDは,より良い電流拡散効果とより低い表面温度を有していたが,光抽出は,電極遮蔽損失効果のため,比較的低かった。三角形セルを用いてHV-LEDを調製したとき,この素子は,より低い電流クラウディング効果とより均一な発光のために,他のセルと比較して優れた光電子性能を達成した。エポキシパッケージプロセスの後,80mAの注入電流でこのHV-LEDを用いて,14.9Vのより低い順方向電圧と353.2mWのより高い出力パワーを得た。さらに,20および80mAにおけるこの装置の壁プラグ効率は,それぞれ41.1%および29.7%であった。結果は,三角形セルの設計がHV-LEDの光電子性能を強化するために有益であることを確認した。さらに,垂直LEDの作製プロセスはHV-LED応用に対して高い可能性を有している。Copyright 2019 The Author(s) All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電流 ,  基板 ,  垂直型 ,  光電子 ,  銅 ,  *窒化ガリウム ,  表面温度 ,  *電圧 ,  プラグ ,  こみあい効果 ,  発光ダイオード
準シソーラス用語： *マイクロセル , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 垂直発光ダイオード ,  高電圧発光ダイオード ,  マイクロセルの幾何学 ,  電流クラウディング効果 ,  空間分布画像

分類 (1件)： 発光素子  (NC03082G)

引用文献 (12件)：

• Singh, P.; Yeh, D.H.; Tan, C.M.; Lai, C.S.; Hou, C.T.; Chao, T.Y.; Chang, L.B. Output Properties of Transparent Submount Packaged FlipChip Light-Emitting Diode Modules. Appl. Sci. 2016, 6, 179.
• Shen, W.; Zhu, Y.; Wang, Z. Luminescent Properties of Sr4Si3O8Cl4:Eu2+, Bi3+ Phosphors for Near UV InGaN-Based Light-Emitting-Diodes. Appl. Sci. 2015, 5, 1494-1502.
• Choi, J.H.; Kim, S.M.; Jang, J.S. Optimization of p-Bonding Electrodes on ZnO:Ga in GaN-Based Light-Emitting Diodes. IEEE Trans. Electron Devices 2016, 63, 1957-1962.
• Pope, I.A.; Smowton, P.M.; Blood, P.; Thomson, J.D.; Kappers, M.J.; Humphreys, C.J. Carrier leakage in InGaN quantum well light-emitting diodes emitting at 480 nm. Appl. Phys. Lett. 2003, 82, 2755-2757.
• Vampola, K.J.; Iza, M.; Keller, S.; DenBaars, S.P.; Nakamura, S. Measurement of electron overflow in 450 nm InGaN light-emitting diode structures. Appl. Phys. Lett. 2009, 94, 061116.

タイトルに関連する用語 (6件)： セル形状 ,  高電圧 ,  垂直 ,  GaN ,  LED ,  性能改善