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J-GLOBAL ID：201902284280681964   整理番号：19A0768296

多光子励起フォトルミネッセンスを用いたGaN結晶中の転位の非破壊・三次元観察

Multiphoton-Excitation Photoluminescence as a Tool for Defect Characterization of GaN Crystal

著者 (1件)： 谷川智之 (東北大学金属材料研究所)
資料名： まてりあ  (Materia Japan)
巻： 58  号： 3  ページ： 144-149(J-STAGE)  発行年： 2019年 
JST資料番号： F0163A  ISSN： 1340-2625  CODEN： MTERE2  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： ・優れた機能を発揮する窒化物半導体は,結晶成長の際の基板との格子不整合に起因する欠陥発生が大きな課題。
・本稿では,欠陥低減化への努力に資するための窒化物半導体の代表的材料であるGaN結晶中の転位の観察技術の開発を紹介。
・転位の非破壊・三次元観察のために多光子励起フォトルミネセンスの適用。
・多光子励起顕微鏡の概要とこれを用いた半導体の観察。
・GaNの多光子励起フォトルミネセンス測定。

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  *格子欠陥 ,  *転位【結晶】 ,  非破壊検査 ,  三次元測定 ,  多光子励起 ,  光ルミネセンス ,  観察

著者キーワード (6件)： multiphoton-excitation photoluminescence (MPPL) ,  GaN ,  dislocation ,  three-dimensional imaging ,  halide vapor phase epitaxy ,  nondestructive characterization

分類 (1件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

引用文献 (25件)：

• (1) H. Amano, N. Sawaki, I. Akasaki and Y. Toyoda: Appl. Phys. Lett., 48(1986), 353-355.
• (2) S. Nakamura: Jpn. J. Appl. Phys., 30(1991), L1705-L1707.
• (3) A. Watanabe, T. Takeuchi, K. Hirosawa, H. Amano, K. Hiramatsu and I. Akasaki: J. Cryst. Growth, 128(1993), 391-396.
• (4) T. Sasaki and T. Matsuoka: J. Appl. Phys., 64(1988), 4531-4535.
• (5) Y. Oshima, T. Eri, M. Shibata, H. Sunakawa, K. Obayashi, T. Ichihashi and A. Usui: Jpn. J. Appl. Phys., 42(2003), L1-L3.

タイトルに関連する用語 (6件)： 多光子励起 ,  フォトルミネッセンス ,  GaN ,  結晶 ,  転位 ,  観察