文献

J-GLOBAL ID：200902231610715625   整理番号：03A0184107

ボイドに支援された分離を利用した水素化物気相エピタクシーによる自立したGaNウエハの調製

Preparation of Freestanding GaN Wafers by Hydride Vapor Phase Epitaxy with Void-Assisted Separation.

著者 (7件)： OSHIMA Y (Hitachi Cable, Ltd., Ibaraki, JPN) ,  ERI T (Hitachi Cable, Ltd., Ibaraki, JPN) ,  SHIBATA M (Hitachi Cable, Ltd., Ibaraki, JPN) ,  SUNAKAWA H (NEC Corp., Ibaraki, JPN) ,  KOBAYASHI K (NEC Corp., Ibaraki, JPN) ,  ICHIHASHI T (NEC Corp., Ibaraki, JPN) ,  USUI A (NEC Corp., Ibaraki, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 42  号： 1A/B  ページ： L1-L3  発行年： 2003年01月15日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 大規模な自立したGaNウエハを作製する新しい技術を開発した。...

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=03A0184107&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=F0599B") }}

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

引用文献 (18件)：

• 1) M. K. Kelly, O. Ambacher, R. Dimitrov, R. Handschuh and M. Stutzmann: Phys. Status Solidi (a) 159 (1997) R3.
• 2) S. Park, I.-W. Park and S. H. Choh: Jpn. J. Appl. Phys. 39 (2000) L1141.
• 3) K. Motoki, T. Okahisa, N. Matsumoto, M. Matsushima, H. Kimura, H. Kasai, K. Takemoto, K. Uematsu, T. Hirano, M. Nakayama, S. Nakahata, M. Ueno, D. Hara, Y. Kumagai, A. Koukitu and H. Seki: Jpn. J. Appl. Phys. 40 (2001) L140.
• 4) A. Wakahara, T. Yamamoto, K. Ishio, A. Yoshida, Y. Seki, K. Kainosho and O. Oda: Jpn. J. Appl. Phys. 39 (2000) 2399.
• 5) O. Kryliouk, M. Reed, T. Dann, T. Anderson and B. Chai: Mater. Sci. Eng. B 66 (1999) 26.

タイトルに関連する用語 (7件)： ボイド ,  支援 ,  水素化物気相エピタクシー ,  自立 ,  GaN ,  ウエハ ,  調製