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J-GLOBAL ID：201902284617082400   整理番号：19A1276428

SiC MOSFETベースハーフブリッジコンバータにおけるスイッチングクロストークと電圧振動の抑制【JST・京大機械翻訳】

Suppression of Switching Crosstalk and Voltage Oscillations in a SiC MOSFET Based Half-Bridge Converter

著者 (5件)： Zaman Haider (School of Automation, Northwestern Polytechnical University, Xi’an 710000, China) ,  Wu Xiaohua (School of Automation, Northwestern Polytechnical University, Xi’an 710000, China) ,  Zheng Xiancheng (School of Automation, Northwestern Polytechnical University, Xi’an 710000, China) ,  Khan Shahbaz (School of Automation, Northwestern Polytechnical University, Xi’an 710000, China) ,  Ali Husan (School of Automation, Northwestern Polytechnical University, Xi’an 710000, China)
資料名： Energies (Web)  (Energies (Web))
巻： 11  号： 11  ページ： 3111  発行年： 2018年 
JST資料番号： U7016A  ISSN： 1996-1073  CODEN： ENERGA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 炭化ケイ素(SiC)MOSFETは,高い動作電圧,温度,スイッチング周波数および効率により特性化され,コンバータが高い電力密度を達成することを可能にする。しかし,高いスイッチング周波数において,高いdv/dtによって導入されたゲート電圧スパイクと電圧リング力がSiC MOSFETの誤ったターンオンを引き起こすとき,クロストーク現象が起こる。それによって,スイッチング損失を増加させる。ハーフブリッジ構成におけるクロストーク現象に対するイミュニティを増加させるために,本論文では,負の電源を使用せずに負のターンオフ電圧を発生できるSiC MOSFET用のゲートドライバを提案した。さらに,スイッチング応答に及ぼす寄生インダクタンスの影響を解析し,スイッチングリングを減衰させるために高周波ベース回路低減技術を用いてRCスナバを設計した。提案したゲートドライバと設計したRCスナバの性能を,1MHzスイッチング周波数でのシミュレーションと実験を用いて検証した。結果は,RCスナバを有する提案されたゲートドライバが,ゲート閾値電圧以下の任意のスプリアスゲートスパイクを維持することによってクロストークを除去することを示した。Copyright 2019 The Author(s) All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： スナバ回路 ,  キャラクタリゼーション ,  HF【周波数】 ,  *スイッチング ,  スイッチング損失 ,  炭化ケイ素 ,  *MOSFET ,  ターンオン ,  *電圧 ,  *クロストーク ,  ターンオフ
準シソーラス用語： 寄生インダクタンス ,  イミュニティ ,  *ハーフブリッジ ,  スイッチング周波数 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： SiC MOSFET ,  寄生インダクタンス ,  RCスナバ ,  ハーフブリッジコンバータ

分類 (2件)： 電力変換器  (NB08030B) ,  電気自動車  (QG07020B)

引用文献 (34件)：

• Li, K.; Evans, P.; Johnson, M. SiC/GaN power semiconductor devices: a theoretical comparison and experimental evaluation under different switching conditions. IET Electr. Syst. Transp. 2018, 8, 3-11.
• Jung, D.Y.; Park, Y. Design and Evaluation of Cascode GaN FET for Switching Power Conversion Systems. ETRI J. 2017, 39, 62-68.
• Logan, T.; McMahon, R.; Hari, N. Design considerations for 600 V GaN cascode based half-bridge converter systems for utility based applications. In Proceedings of the 2016 IET International Conference on Power Electronics, Machine and Drives, Glasgow, UK, 19-21 April 2016; pp. 1-6.
• Yamaguchi, K.; Sasaki, Y.; Imakubo, T. Low loss and low noise gate driver for SiC-MOSFET with gate boost circuit. In Proceedings of the 2014 Annual Conference of the IEEE Industrial Electronics Society, Dallas, TX, USA, 29 October-1 November 2014; pp. 1594-1598.
• Peftitsis, D.; Rabkowski, J. Gate and Base Drivers for Silicon Carbide Power Transistors: An Overview. IEEE Trans. Power Electron. 2016, 31, 7194-7213.

タイトルに関連する用語 (3件)： SiC ,  MOSFET ,  電圧振動