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J-GLOBAL ID：201902285186781168   整理番号：19A1414381

InGaN/GaN量子井戸からの表面プラズモン増強発光のマイクロ光ルミネセンスマッピング【JST・京大機械翻訳】

Micro-photoluminescence mapping of surface plasmon enhanced light emissions from InGaN/GaN quantum wells

著者 (7件)： Tateishi Kazutaka (Institute for Materials Chemistry and Engineering, Kyushu University, 744 Motooka, Nishiku, Fukuoka 819-0395, Japan) ,  Wang Pangpang (Institute for Materials Chemistry and Engineering, Kyushu University, 744 Motooka, Nishiku, Fukuoka 819-0395, Japan) ,  Ryuzaki Sou (Institute for Materials Chemistry and Engineering, Kyushu University, 744 Motooka, Nishiku, Fukuoka 819-0395, Japan) ,  Funato Mitsuru (Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University, Katsura Campus, Nishikyo-ku, Kyoto 615-8510, Japan) ,  Kawakami Yoichi (Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University, Katsura Campus, Nishikyo-ku, Kyoto 615-8510, Japan) ,  Okamoto Koichi (Institute for Materials Chemistry and Engineering, Kyushu University, 744 Motooka, Nishiku, Fukuoka 819-0395, Japan) ,  Tamada Kaoru (Institute for Materials Chemistry and Engineering, Kyushu University, 744 Motooka, Nishiku, Fukuoka 819-0395, Japan)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 111  号： 17  ページ： 172105-172105-5  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 銀被覆InGaN量子井戸(QW)における励起子から表面プラズモンポラリトン(SPP)へのエネルギー移動に基づくPL増強の詳細な機構を解明するために,光ルミネセンス(PL)マッピングを行った。裸のInGaN QWに対するPLマッピングは,PLピーク強度と波長の間に正または負の相関を示した。これらの相関は,それぞれ励起子局在化と量子閉じ込めStark効果によって引き起こされる。しかし,InGaN QWの銀被覆領域には現れず,波長分布はSP誘起PL増強により短波長にシフトした。これらの結果は,励起子からSPPへのエネルギー移動が,QWにおける圧電場の励起子局在化と電荷遮蔽過程におけるそれよりはるかに速いことを示唆した。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 被覆 ,  *量子井戸 ,  銀 ,  励起子 ,  *光ルミネセンス ,  *窒化ガリウム ,  *表面プラズモン ,  電荷 ,  *発光 ,  波長 ,  圧電気 ,  エネルギー移動
準シソーラス用語： 局在化 ,  ピーク強度 ,  *InGaN , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： InGaN ,  GaN ,  量子井戸 ,  表面プラズモン ,  増強 ,  マイクロ光ルミネセンス ,  マッピング