Ar/C_4F_8/O_2混合物を用いたSiO_2における高アスペクト比特徴のプラズマエッチング:計算研究【JST・京大機械翻訳】

Huang Shuo; Huard Chad; Shim Seungbo; Nam Sang Ki; Song In-Cheol; Lu Siqing; Kushner Mark J.

文献

J-GLOBAL ID：201902285628089829 整理番号：19A1200216

Ar/C_4F_8/O_2混合物を用いたSiO_2における高アスペクト比特徴のプラズマエッチング:計算研究【JST・京大機械翻訳】

Plasma etching of high aspect ratio features in SiO₂ using Ar/C₄F₈/O₂ mixtures: A computational investigation

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資料名：
巻： 37 号： 3 ページ： 031304-031304-26 発行年： 2019年
JST資料番号： C0789B ISSN： 0734-2101 CODEN： JVTAD6 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

高アスペクト比(HAR)特徴のプラズマエッチングは典型的には高容量メモリの作製における重要なステップである。アスペクト比(ARs)が50(および100に近づく)を超えると,臨界寸法(CD)を維持しながら,ねじれ,接触エッジ粗面化およびアスペクト比依存エッチング(ARDE)を除去するか,または減少させることが挑戦的になっている。統合反応器と特徴スケールモデリングを用いて,Ar/C_4F_8/O_2混合物中に保持された三周波容量結合プラズマを用いて,80までのARを有するSiO_2におけるHAR特性のエッチングを研究した。これらの系において,ウエハへの中性ラジカルのフラックスは,イオン化と比較して解離に対する低い閾値エネルギーのために,イオンのフラックスを1~2桁超えた。低いARs(<5)では,CF_xとC_xF_yラジカルのこれらの豊富なフラックスは酸化物を不動態化し,化学的に増強された反応性エッチングを通してエネルギー種(イオンとホット中性)によって除去され,気相SiF_x,CO_x,およびCOFの形成をもたらす。エッチングがより高いARsに進むにつれて,酸化物除去への物理的スパッタリングの部分的寄与は,エッチフロントへのエネルギー化学種のフラックスが伝導拘束CF_xとC_xF_yラジカルのそれらを上回るので増加する。酸化物の瞬間エッチ速度は,エネルギー化学種のフラックスの減少によりアスペクト比(ARDE効果)の増加と共に減少し,これらの種により放出されたパワーがエッチフロントに減少した。フォトレジスト(PR)のエッチング速度がARに依存しないので,アンダーカットとボーイングを避けることによってCDを維持することは,高いSiO_2-過剰PR選択性を必要とし,次に,エッチングの終わりにPRの最小厚さを必要とする。狭い角度分布を持つ正イオンは典型的に低いAR特徴の底に電荷を堆積し,特徴の底に正電位で最大値を生成する。高いAR特徴に対して,側壁上のイオンのすれすれ入射衝突は,特徴の側壁上に最大値を持つ電気ポテンシャルを生成する。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

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固体デバイス製造技術一般

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