文献

J-GLOBAL ID：201902286024587085   整理番号：19A1416657

ナノスケールY_2BaCuO_5介在物を含むYBCO薄膜の臨界電流密度における等方性増強【JST・京大機械翻訳】

Isotropic enhancement in the critical current density of YBCO thin films incorporating nanoscale Y₂BaCuO₅ inclusions

著者 (8件)： Jha Alok K. (Department of Materials Science and Engineering, Kyushu Institute of Technology, Tobata-ku, Kitakyushu 804-8550, Japan) ,  Matsumoto Kaname (Department of Materials Science and Engineering, Kyushu Institute of Technology, Tobata-ku, Kitakyushu 804-8550, Japan) ,  Horide Tomoya (Department of Materials Science and Engineering, Kyushu Institute of Technology, Tobata-ku, Kitakyushu 804-8550, Japan) ,  Saini Shrikant (Department of Materials Science and Engineering, University of Utah, Salt Lake City, Utah 84112, USA) ,  Mele Paolo (Research Center for Environmentally Friendly Materials Engineering, Muroran Institute of Technology, 050-8585 Mizumoto-cho, Muroran, Japan) ,  Ichinose Ataru (Central Research Institute of Electrical Power Industry, Yokosuka, Kanagawa 240-0196, Japan) ,  Yoshida Yutaka (Department of Energy Engineering and Science, Nagoya University, Chikusa-ku, Nagoya 464-8603, Japan) ,  Awaji Satoshi (Institute for Materials Research, Tohoku University, Aoba-ku, Sendai 980-8577, Japan)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 122  号： 9  ページ： 093905-093905-13  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： YBa_2Cu_3O_7-δ(YBCOまたはY123)超伝導薄膜のボルテックスピン止め特性に及ぼすナノスケールY_2BaCuO_5(Y211)介在物の組込みの影響を,印加磁場による臨界電流密度(J_C)の変化と,77Kと65Kの2つの異なる温度での印加磁場の配向に基づいて詳細に研究した。表面改質ターゲット法を用いて,超伝導YBCOマトリックス中にナノスケールY211介在物を組み込んだ。臨界電流密度の角度異方性の減少におけるY211ナノ介在物の効率は顕著であることが分かった。臨界電流密度の観測された角度依存性を,渦および球状および/または平面欠陥による相互占有体積に基づいて議論した。ab面近くのJ_Cにおけるディップも観測され,球状(3-D)または平面(2-D)ピン止め中心に対応するピン止めポテンシャルの変化に基づいて解析され,ピン止め中心を持つ渦の相互作用体積の減少と球状および平面欠陥によるポテンシャルの競合的性質に起因した。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 浸漬 ,  渦 ,  ポテンシャル ,  異方性 ,  *等方性 ,  *イットリウムバリウム銅酸化物 ,  表面改質 ,  *介在物 ,  超伝導 ,  角度依存性 ,  相互作用 ,  *臨界電流密度 ,  ピン止め
準シソーラス用語： 印加磁場 ,  *ナノスケール , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 酸化物系超伝導体の物性  (BM04023I)

タイトルに関連する用語 (6件)： ナノスケール ,  介在物 ,  YBCO薄膜 ,  臨界電流密度 ,  等方性 ,  増強