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J-GLOBAL ID：201902286939639743   整理番号：19A1716683

金属有機分解法により作製したa-SiO_2基板上のLaMnO_3薄膜における強い正孔自己ドーピング【JST・京大機械翻訳】

Strong Hole Self-Doping in LaMnO₃ Thin Film on a-SiO₂ Substrate Produced by Metal Organic Decomposition Method

著者 (4件)： Kobori Hiromi (Konan University, Department of Physics, Faculty of Science and Engineering Hyogo Japan) ,  Kitamura Tohru (Konan University, Department of Physics Kobe Japan 8-9-1 Okamoto, Higashi Nada-ku) ,  Taniguchi Toshifumi (Osaka University, Department of Physics Toyonaka Japan 1-1, Machikaneyama) ,  Shimizu Tetsuo (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Tsukuba Japan 1-1-1 Higashi)
資料名： Materials Science Forum  (Materials Science Forum)
巻： 962  ページ： 17-21  発行年： 2019年 
JST資料番号： D0716B  ISSN： 0255-5476  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 金属有機分解(MOD)法により作製したLaMnO_3(LMO)薄膜への強い正孔自己ドーピングを研究した。異なる熱処理条件で,LMO薄膜を100%O_2ガス雰囲気中でMOD法により調製した。LMO薄膜中の過剰のO2-イオンはLMOへの強い正孔自己ドーピングを誘起すると考えた。LMO中の過剰O2-イオンの量はLMO生産の熱処理条件,特に温度,時間および雰囲気ガスに敏感である。LMO単結晶は反強磁性絶縁体であるが,MOD法を用いて100%O_2ガス雰囲気中で作製したLMO薄膜は強磁性金属の性質を示した。Copyright 2019 Trans Tech Publications Ltd. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *薄膜 ,  熱処理条件 ,  *正孔 ,  単結晶
準シソーラス用語： 強磁性金属 ,  反強磁性絶縁体 ,  雰囲気ガス ,  MOD法 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： LaMnO_3 ,  薄膜 ,  正孔自己ドーピング ,  金属有機物分解 ,  強磁性金属

分類 (4件)： 有害ガス処理法  (SC04030H) ,  その他の触媒  (CB06123Z) ,  セラミック・磁器の性質  (YC03030G) ,  ガラスの製造  (YC02020O)

タイトルに関連する用語 (5件)： 有機分解 ,  作製 ,  薄膜 ,  正孔 ,  自己ドーピング